半导体第五讲硅片清洗.ppt

2.喷洗式单箱化学清洗机(spraychemical cleaning processor) 这种清洗方式是将晶片放在清洗槽内的转盘上，新鲜的清洗用化学溶液经N2加压、通过喷洗柱(spray post)均匀喷淋在晶片上作为化学清洗及超纯水洗涤，转盘按照清洗程序所设定的转速转动，根据不同的清洗循环(cycle)自动变化，以达到最佳的清洗效果。每一循环结束后，喷洗后的化学酸立即排出，所以每次清洗时都是用新鲜、洁净的化学酸喷洗，不像浸洗式化学酸槽中的酸易受污染。以美国FSI公司设计的多座式喷洗机为例，清洗过程中首先用加压N:将化学罐( chemical canister)内的清洗用化学溶液压出并经由清洗腔中央的喷洗柱与超纯水均匀棍合到配方的比例，然后喷洗旋转中转盘上的晶片，如图所示。按照程序设定的顺序，不同的化学清洗溶液依序喷洗晶片。在改换化学溶液前，化学管路(elremical tubing } ,喷洗柱和清洗槽需用超纯水洗涤干净，以避免“交互污染” * FSI公司生产的化学喷洗机剖面图 * 清洗槽需用超纯水洗涤干净，以避免“交互污染”。下图1所示为FSI公司生产的化学喷洗机的化学溶液管路图。在最后纯水洗涤( final rinse)后，转盘高速旋转，利用高速离心力、伯努利原理及顶盖上的加热.器( blanket heater)，将清洗后的晶片烘干。为了彻底清洗晶片边缘靠近清洗槽