第2章 常用基本放大电路.pptVIP

 小信号(几十毫伏以下)情形下用线性电路表示晶体管的分析方法称为微变等效电路法 直接耦合放大电路(a)图不可取！为什么？ 2. 阻容耦合放大电路 3. 变压器耦合共射放大电路 4. 光电耦合器及其传输特性 1.静态分析：阻容(变压器)耦合同单级；直接耦合级间相互影响，具体分析时，针对不同电路，先找”突破口”2.动态分析 复合管共射放大电路特点： 电压放大倍数基本不变； 电流放大倍数增加，减小了对信号源驱动电流的要求； 输入电阻增加。 2. 复合管共集放大电路 复合管共集放大电路特点： 电压跟随特点不变； 电流放大倍数增加； 输入电阻显著增加，输出电阻显著减小。 3. 复合管共射－共基放大电路 共射—共基放大电路的交流通路 共基电路输入电阻小，使共射电路的高频特性得到改善。 Exit 4. 复合管共集－共基放大电路 共集—共基放大电路的交流通路 特点：电路具有较宽的通频带。 Exit Home 场效应管放大电路的三种组态 Next uGS控制iD； 工作于恒流区； g~b、s~e、d~c 2.4.1 共源极放大电路 分析方法：图解法、估算法和微变等效电路法。 1.直流偏置电路的设置及静态工作点的计算方法 (1) 固定偏压方式 场效应管具有放大作用的条件是： 工作于恒流区。对于N沟道场效应管： （1） JFET VGS0； （2）耗尽型MOSFET, VGS可正、可负、可零； （3）增强型MOSFET, VGS VGS(th)0. 对于P沟道场效应管，与上述条件相反。 固定偏置共源放大电路 Home Next Back （a）图解法（必须知道场效应管的输出特性曲线） 因为IGQ=0，则VGSQ=VGG 。输出回路直流负载线方程： vDS= VDD - iD Rd ，作此负载线，交VGS=VGG于Q点，对应的iD 、vDS 即为IDQ 、VDSQ 。 Q Home Next Back （b）解析法（必须知道场效应管的IDO和VGS(th)) 对于JFET和耗尽型MOSFET,必须知道场效应管的IDSS和VGS(OFF))。其电流方程为： Home Next Back （2）自给偏压方式 联立(1)、(2)可解得VGSQ和IDQ。当然，有两个解，取其中有物理意义的解。 Home Next Back Home Next Back 联立(1)、(2)可解得VGSQ和IDQ。当然，有两个解，取其中有物理意义的解。 （3）自偏压与分压式偏置电路 A G S D uGS iD uDS 场效应管放大电路的动态分析 (1) 场效应管的微变等效电路 N沟道结型场效应管 N沟道增强 型场效应管 很大， 可忽略 G S D uGS iD uDS S G D ugs gmugs uds S G D rdS ugs gmugs uds 场效应管微变等效电路 Exit uo UDD=20V RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150k 50k 1M 10k 10k G D S 10k s g R2 R1 RG RL d RL RD 微变等效电路 Exit (2) 共源放大电路的微变等效电路 ro=RD=10k? s g R2 R1 RG RL d RL RD Exit ri ro ro? g R2 R1 RG s d RL RS 微变等效电路 uo +UDD RS ui C1 R1 RG R2 RL 150k 50k 1M 10k D S C2 G Exit 2.4.2 共漏极 放大电路1. 静态工作点计算(略)2. 微变等效电路及动态分析 ri ro ro? g R2 R1 RG s d RL RS 微变等效电路 输入电阻 ri Exit g d 微变等效电路 ro ro? R2 R1 RG s RS 输出电阻 ro Exit Home 1. 研究放大电路频率特性的必要性 Next 在放大电路中，当输入信号频率过高或过低时，其放大倍数的值会减小，并产生相移（超前或滞后）。说明放大倍数是信号频率的函数，这种函数关系称之为频率特性或频率响应。 产生这种现象的原因：放大电路中存在电抗元件（电容、电感等）及晶体管存在极间电容。 在前面讨论的放大电路中，我们忽略了电路中的电抗元件及晶体管极间电容的影响，认为在输入信号的频率范围内，其放大倍数的幅度和相位均保持不变，此频率范围称之为中频段。 2.5.1 频率特性的一般概念