绝缘层材料及结构对薄膜晶体管性能的影响.pdf

第 卷 第 期 液晶与显示 ３２ 　 ５ 　　 Vol．３２　No．５ 　 　　　　 　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１７ ５ 　 　 　 Ma ２０１７ y 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１７０５Ｇ０３４４Ｇ０８ 绝缘层材料及结构对薄膜晶体管性能的影响 , , , , １２ １２ １２∗ １２ , , , 李欣予 王若铮 吴胜利 李尊朝 ( , ; 西安交通大学 电子物理与器件教育部重点实验室 陕西 西安 １． ７１００４９ , ) 西安交通大学 微电子学院 陕西 西安 ２． ７１００４９ : ( ) , , 摘要 基于半导体仿真软件 SilvacoTCAD对薄膜晶体管 TFT进行器件仿真 并结合实验验证 重点分析不同绝缘层材 . , , 料及结构对 TFT器件性能的影响 仿真及实验所用薄膜晶体管为底栅电极结构 沟道层采用非晶IGZO材料 绝缘层 . : 采用 和 多种不同组合的叠层结构 仿真及实验结果表明 含有高 材料的栅绝缘层叠层结构较单一 绝 SiNx HfO２ k SiNx ; / / , ; 缘层结构的 性能更优 对 栅绝缘层叠层结构 取 较为合适 对含有高 材料的 TFT SiN HfO SiN TFT HfO ４０nm k x ２ x ２ , . 层和 层绝缘层叠层结构 各叠层厚度相同的对称结构 性能最优 本文通过仿真获得了 性能较优的 ３ ５ TFT TFT