低噪声CMOS电荷灵敏前置放大器.docVIP

CN 1122223 N 　 清华大学学报 (自然科学版 J T singhua U niv (Sci Tech , 2005年 第 45卷 第 12期 2005, V o l . 45, N o . 1216 32 164321645, 1649 　 低噪声 C MO S 电荷灵敏前置放大器 邓　智 , 　康克军 , 　程建平 , 　刘以农 (清华大学 工程物理系 , 北京 100084 收稿日期 :2005203214 基金项目 :国家自然科学基金重点资助项目 作者简介 :邓智 (19772 , 男 (汉 , 湖南 , 博士研究生 。 E 2m ail :dengz @m ails . tsinghua . edu . cn 通讯联系人 :康克军 , 教授 , E 2m ail:kkj 2dep@mail . tsinghua . edu . cn 摘　要 :为了满足辐射探测器的读出密度要求 , 完成了低噪 声 C M O S 专用集成电荷灵敏前置放大器的设计和测试 。 采 用 0. 6Λm C M O S 工艺 , 电路面积为 260Λm ×210Λm , 功耗 为 15. 9mW , 比传统的电荷灵敏前放的电路密度至少提高 了 3个数量级 。测量得到的噪声结果为 :在成形时间为 1Λs 时 , 零电容噪声为 1377. 1e , 电容噪声斜率为 43. 7e pF 。噪 声的实测结果和理论分析比较吻合 , 间接测量了使用工艺 NM O S 的 1 f 噪声系数 , 为低噪声设计提供了参考依据 。 关键词 :核电子学 ; 电荷灵敏前置放大器 ; C M O S 电路 中图分类号 :TL 821; A 文章编号 :100020054( 2203 L ow -no ise C MOS charge -sen sitive pream plif ier D ENG Zhi , K ANG Ke jun , CHENG J ia np ing , L I U Yinong (D epart men t of Engi neer i ng Physics , Tsi nghua Un iversity , Be ij i ng 100084, Ch i na Abstract :A low 2no ise CM O S charge sensitive p reamp lifier w as built using a 0. 6Λm CM O S p rocess to achieve the readout density requirem ent fo r radiati on detecto rs . T he p reamp lifier co sts w ere 260Λm ×210Λm in area and 15. 9mW in pow er consump ti on . T he density w as increased by a facto r of at least 3o rders of m agnitude compared to traditi onal charge sensitive p reamp lifiers . M easured results show that the equivalent no ise charge is 1377. 1e of zero 2capacitance no ise and 43. 7e pF of capacitance rati o w ith a shap ing ti m e of 1Λs . T h is no ise level is in agreem ent w ith theo retical analysis but needs to be i m p roved further . T he 1 f no ise coefficient of the NM O S device in the p rocess w as also calculated . Key words :nuclear electronics; charge sensitive p reamp lifier; CM O S app licati on specific integrated circuits 实现高集成度 、 低功耗 、 低成本的核电子学前端 电路成为一个亟待解决的课题 。 为了提高位置分辨 率和计数率 , 新型的辐射探测器采用微单元结构 , 比 如 M SGC [1] 、硅像素探测器 [2] 等等 。 这些探测器的 读出密度可以达到 104 c m 2 。 C M O S 专用集成电路 为满足探测器读出密度的要求而提