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SOI器件和电路制造工艺 主要内容 集成电路制备工艺 SOI的挑战与机遇 SOI器件和电路制备技术 几种新型SOI电路制备技术 集成电路设计与制造的主要流程框架 集成电路芯片的显微照片 集成电路制造工艺 前工序 后工序 辅助工序 前工序：集成电路制造工序 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 制膜：制作各种材料的薄膜 前工序：集成电路制造工序 图形转换： 光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻 刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 掺杂： 离子注入 退火 扩散 制膜： 氧化：干氧氧化、湿氧氧化等 CVD：APCVD、LPCVD、PECVD PVD：蒸发、溅射 后工序 划片 封装 测试 老化 筛选 辅助工序 超净厂房技术 超纯水、高纯气体制备技术 光刻掩膜版制备技术 材料准备技术 隔离技术 PN结隔离 场区隔离 绝缘介质隔离 沟槽隔离 接触与互连 Al是目前集成电路工艺中最常用的金属互连材料 但Al连线也存在一些比较严重的问题 电迁移严重、电阻率偏高、浅结穿透等 Cu连线工艺有望从根本上解决该问题 IBM、Motorola等已经开发成功 目前，互连线已经占到芯片总面积的70～80%；且连线的宽度越来越窄，电流密度迅速增加 SOI挑战与机遇 器件尺寸缩小带