二章MOS器件物理基础讲课资料.pptVIP

MOSFET的沟道调制效应 MOSFET的沟道调制效应 L L’ 第二章 MOS器件物理基础 1．了解无源元件的基本原理。 2．了解有源元件的基本原理。 3．了解基本MOS器件模型。 主要内容 了解MOS器件物理基础概念 掌握MOS的I/V特性 掌握二级效应基本概念 了解MOS器件模型 什么是无源器件和有源器件？ 无源器件passive devices：如果电子元器件工作时，其内部没有任何形式的电源，则这种器件叫做无源器件。 有源器件active devices ：如果电子元器件工作时，其内部有电源存在，则这种器件叫做有源器件。 从电路性质上看，无源器件有两个基本特点：（1） 自身或消耗电能，或把电能转变为不同形式的其他能量。（2） 只需输入信号，不需要外加电源就能正常工作。 从电路性质上看，有源器件有两个基本特点：（1） 自身也消耗电能。（2） 除了输入信号外，还必须要有外加电源才可以正常工作。 分类 电感 变压器 晶体管 运算放大器 电阻器 插座 参考电压源 晶闸管 有源器件 无源器件 2.MOSFET的结构 衬底 Ldrawn：沟道总长度 Leff：沟道有效长度， Leff＝ Ldrawn－2 LD MOSFET的结构 LD：横向扩散长度 （bulk、body） MOS管正常工作的基本条件 MOS管正常工作的基本条件是:所有衬源（B、S）、衬漏（B、D）pn结必须反偏！ 寄生二极管 同一衬底上的NMOS和PMOS器件 寄生二极管 *N-SUB必须接最高电位VDD！ *P-SUB必须接最低电位VSS！ *阱中MOSFET衬底常接源极S MOS管所有pn结必须反偏: 例：判断制造下列电路的衬底类型 1.MOSFET的基本结构 *N-SUB必须接最高电位VDD！ *P-SUB必须接最低电位VSS！ *阱中MOSFET衬底常接源极S MOS管所有pn结必须反偏: 2.MOS的阈值电压 NMOS器件的阈值电压VTH (a)栅压控制的MOSFET (b)耗尽区的形成 (c)反型的开始 (d)反型层的形成 NMOS管VGSVT、VDS=0时的示意图 NMOS管VGSVT、 0VDS VGS-VT时的示意图 沟道未夹断条件 NMOS沟道电势示意图(0VDS VGS-VT ) 边界条件:V(x)|x=0=0, V(x)|x=L=VDS 2.MOS的阈值电压 1.阈值电压：引起沟道区产生强表面反型的最小栅电压。 2.沟道未夹断条件： 3. 了解I/V特性 Qd：沟道电荷密度 Cox：单位面积栅电容 沟道单位长度电荷(C/m) WCox：MOSFET单位长度的总电容 Qd(x)：沿沟道点x处的电荷密度 V(x)：沟道x点处的电势 I/V特性的推导（1） 电荷移动速度(m/s) V(x)|x=0=0, V(x)|x=L=VDS I/V特性的推导（2） 对于半导体： 且 三极管区的MOSFET（0 VDS VGS－VT） 等效为一个压控电阻 I/V特性的推导（3） 三极管区(线性区) 每条曲线在VDS＝VGS－VTH时取最大值，且大小为： VDS＝VGS－VTH时沟道刚好被夹断 饱和区的MOSFET（VDS ≥ VGS－VT） 当V(x)接近VGS-VT，Qd(x)接近于0，即反型层将在X≤L处终止，沟道被夹断。 NMOS管的电流公式 截至区，VgsVTH 线性区,Vgs VTH VDS Vgs - VTH 饱和区,Vgs VTH VDS Vgs - VTH MOS管饱和的判断条件 NMOS饱和条件：VgsVTN；Vd≥Vg-VTHN PMOS饱和条件: VgsVTP ；Vd≤Vg＋| VTP | g d g d 判断MOS管是否工作在饱和区时，不必考虑Vs MOS模拟开关 MOS管为什么可用作模拟开关？ MOS管D、S可互换，电流可以双向流动。 可通过栅源电源（Vgs）方便控制MOS管的导通与关断。关断后Id≈0 4.二级效应 MOS管的开启电压VT及体效应 ΦMS：多晶硅栅与硅衬底功函数之差 Qdep耗尽区的电荷,是衬源电压VBS的函数 Cox：单位面积栅氧化层电容 MOS管的开启电压VT及体效应 无体效应 源极跟随器 有体效应 体效应系数，VBS＝0时，?＝0 MOS管体效应的Pspice仿真结果 Vb=0.5v Vb=0v Vb=-0.5v Id Vg 体效应的应用： 利用衬底作为MOS管的第3个输入端 利用VT减小用于低压电源电路设计 * * * * 假定漏极电压0，由于沟道电势从源极的0V变化到漏极的VD，所以栅与沟道间的局部电压差从VG变化到VG-VD。