深圳大学微电子学基础原理_第三章_双极型晶体管(0).pptVIP

4. 下降过程和下降时间tf 缩短下降时间的办法有： ① 减小CTe、CTc及寿命τ，减小下降过程需要由IB′抽走的电荷量； ② 增大IB′，缩短抽取速度。在考虑改变IB′时，一定要兼顾其他方面。 3.5.5 提高晶体管开关速度的途径 1. 晶体管内部考虑 ① 掺金。尤其是对NPN管掺金更为有利。它既不影响电流增益又可有效的减小集电区少子—空穴的寿命，进而减少饱和时超量贮存电荷Qc′，同时加速Qc′的复合。 ② 采用外延结构。在保证集电结耐压的前提下，尽量减薄外延层厚度，降低外延层电阻率。这样既可以减小集电区少子寿命，限制Qc′，又可降低饱和压降UCES。 ③ 减小结面积。这可有效的缩短td、tr和tf。但结面积的最小尺寸受集电极最大电流ICM及工艺水平的限制。 ④ 尽量减小基区宽度，进而减小Qb，可使tr和tf大大降低。 2. 晶体管外部考虑 ① 加大IB，以缩短td和tr，但太大会使饱和过深，一般控制S=4来选择适当的IB。 ② 加大IB′，反向抽取快，可缩短ts和tf，但应选在RB允许的范围内。 ③ 晶体管可工作在临界饱和状态。这样就不会有超量贮存电荷Qb′和Qc′，ts=0，但此时C、E之间的压降UCE较高，接近0.7V，是否可以要视电路条件而定。 ④ 在UCC与IB一定时，选择较小的RL可使晶体管不进入太深的饱和状态，有利于缩短ts。但RL太小