汉虹单晶炉操作规程.docVIP

图1 FT-CZ2008型单晶炉图2 操作柜 三、依据: 依据为直拉法生长硅单晶的工艺和FT-CZ2008型单晶炉的性能。 准审核编制 修改履历 码内容状态备 图3 【氩气】操作界面 ?、拧开上炉体螺母,将操作手柄上的【HOIST】旋钮打向UP位置点动上升炉筒至适当位置,将操作手柄上的【SEED】旋钮打向UP位置上升晶棒到翻板阀室以上,顺时针转动翻板阀手柄,关闭翻板阀。 图4 隔离阀手柄 ?、上升上炉体至上限位,上升晶体至上炉体内。转动晶棒托架,通过【 整晶棒的高度,使其与托架接触,但不承重。 图5 晶棒托架 ?、打开上炉体定位开关,转动上炉体到一侧,放下上炉体定位开关,便于取晶棒。 图6 定位开关 SEED】按钮打向UP位置,上升晶棒,转动托架。再将【下降晶体,用晶棒专用车承接晶棒,每进入一格,用锁扣锁住。下降晶棒使其与晶棒车有充分接触,但不全部承重到晶棒车上。操作者一手拿住籽晶一手用钳子将籽晶从细颈处钳断,籽晶后,应稳定重锤,防止重锤快速转动,损坏钢丝绳。 、将籽晶从重锤上取下,观察籽晶积渣情况和有无机械损伤,取下的籽晶放在指定场所,再将 图7 晶棒中转专用车 ①、打开上炉体定位开关,旋转到炉盖上方,合上上炉体定位开关,将操作手柄上的【 位置下降上炉体至炉盖,拧紧上炉体螺母,将【 图8 埚底料筒与埚底料推车 图9 主要石墨件 、真空过滤器清扫 ?、准备好吸尘刷、吸尘管、酒精、纸巾、扳手,带好手套、防尘口罩。 ?、打开波纹管和真空过滤器顶盖的连接法兰,拧开真空过滤器顶盖螺丝,取出过滤网。 图10 真空泵与真空泵房 、真空泵油检查与更换 ?、确认关闭主泵手阀和真空泵,在放油单晶炉上挂检修牌,将废油桶置于真空泵放油口下方,打开上下腔放油开关,放完油后关闭上下腔放油阀,废油倒入指定油桶。 ?、清扫真空泵(每3炉清扫一次,用扳手打开真空泵侧盖,置于适当位置,用毛巾彻底清理真空泵腔、侧盖和下腔滤油网的油污,清扫完毕后,安装好滤网,安装好侧盖。 图11 测温装置 盘和加热器电极脚的距离是否对称,若距离不一致要调整间距。 有石墨碎屑伸出;若有,要将碎屑吸除。 ⑥、两段式的石墨托柄,要检查是否松动和机械损伤,若发现松动,要拧紧。检查石墨托柄和 坩埚轴护套四周间隙是否一致。 ⑦、用吸尘刷吸净底保温板、排气孔和排气套筒内的附尘及残渣。 图13 热场组装 !注意:热场组装到位后,要检查操作屏幕上【原点】是否为红色显示,若没有红色显示,则需进行【初始化】操作。 9、石英坩埚安装 图15 手动阀图16 【压力】操作菜单 ?、抽空后炉内压力达到400Torr 时,充氩气15秒左右,抽真空1小时左右,使炉内压力40mTorr。 ?、待炉内压力40mTorr后,关闭手动阀30秒后,按下【泄漏检测】按钮,打开检漏菜单,按下【开始】按钮,开始检漏,检漏时间5分钟,按下【停止】按钮,此时屏幕上的漏气量和时间就是检测结果。要求炉子漏气速率0.8mTorr/min(即5分钟小于4mTorr,检漏合格进 ,需重复1、2、3步骤;若炉子漏气速率0.8mTorr/min,则需重 图17 【加热器】菜单 图18 操作手柄图19 【坩埚】菜单 14、温度稳定 ?、观察炉内硅料是否完全熔化,是否有挂边。如有挂边,要及时处理,按下屏幕下方的【工序复位】按钮,在弹出的对话框中选择【接受】,然后将操作面板旁边的状态旋钮打向手动档,将操作手柄上的【CRUCIBLE】打向DOWN位置,降低坩埚至适当位置,按屏幕上的【加热器】按钮,在【功率】中输入适当的高功率值,点击【DC 功率控制】的【开】按钮;挂边消失后, 图20 引晶 晶过程中若籽晶熔断,则重新进行引晶温度的调整,籽晶插入液面,重新进行引晶。作 自动引晶不理想,可以随时考虑进入手动状态来手动引晶。点击【工序复位】 的对话框中选择【确认】,随后将状态控制旋钮打到【手动】档。 过操作手柄上的籽晶拉速键来调整拉速,使籽晶的直径达到理想值。 键调出籽晶控制菜单,在【低拉速值】中输入所要的拉速,然后点击【低拉速】 图21 放肩 ?、点击【工序参数】调出工序控制菜单,在参数【转肩提升直径】中输入开始转肩时相机所要达到的数值,点击【执行】按钮。 !注意:输入的数值和相机读数的差值要与此时的实际直径和所需的目标直径的差值一致。 ?、放肩坏时,则重新进行温度的调整,插入液面,熔去放肩和引晶部位,再引晶。 ?、若料较脏时,将肩放至直径150~160mm提离液面上升到导流筒中部停留 图22 相机 ?、点击【工序参数】进入参数修改页,将【等径目标直径】中的值修改成此时的相机读数值,并按【执行】按钮执行。 !注意:若此时晶棒直径的实际值与目标值有偏差,可以通过多次设定接近目标值的方法来达到目标直径。?、密切关注单晶的生长速度,适当调整拉速