移动加热器法晶体生长工艺的研究进展.pdfVIP

第２５卷　 第４期 材　 料　 科　 学　 与　 工　 艺 Ｖｏｌ２５ Ｎｏ４ 　 　 ２０ １７年８月 ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ ＳＣＩＥＮＣＥ ＆ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ Ａｕｇ． ２０１７ 　 　 　 　 　 　 ｊ．ｉｓｓｎ － ＤＯＩ：１０．１１９５１／ ．１００５ ０２９９ 移动加热器法晶体生长工艺的研究进展 高　 笑，刘俊成，翟慎秋 （山东理工大学 材料科学与工程学院，山东 淄博 ２５５０４９） 摘　 要：移动加热器法被认为是一种切实可行的生长大尺寸、高质量单晶体的方法，它结合了液相外延和区熔提纯的优 点．本文阐述了移动加热器法晶体生长的基本原理、优缺点，综述了相关加热方式、晶体生长过程中的质量输运和热交 换，并探讨了工艺条件（如重力场、磁场、强迫对流等和晶体生长速率）对移动加热器法生长晶体过程与晶体质量的影 响，最后对移动加热器法的发展趋势进行了展望． 关键词：晶体生长工艺；移动加热器法；基本原理；加热方式；工艺条件；生长速率 － － － 中图分类号：Ｏ７８２ 文献标志码：Ａ 文章编号：１００５ ０２９９（２０１７）０４ ００５０ ０７ Ｒｅｖｉｅｗｏｎ ｒｅｓｅａｒｃｈ ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｏｆ ｃｒｙｓｔａｌ ｇｒｏｗｔｈ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｗｉｔｈ ｔｒａｖｅｌｌｉｎｇｈｅａｔｅｒ ＧＡＯ Ｘｉａｏ，ＬＩＵＪｕｎｃｈｅｎｇ，ＺＨＡＩ Ｓｈｅｎｑｉｕ （Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｓｈａｎｄｏｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｚｉｂｏ ２５５０４９，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｒａｖｅｌｌｉｎｇ ｈｅａｔｅｒ ｍｅｔｈｏｄ ｉｓｋｎｏｗｎ ａｓｔｈｅ ｍｏｓｔ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅｖｉａｂｌｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｔｏ ｇｒｏｗ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌｓｗｉｔｈ ｌａｒｇｅ ｓｉｚｅ ａｎｄ ｈｉｇｈ ｑｕａｌｉｔｙ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌｓ． Ｉｔ ｃｏｍｂｉｎｅｓ ｔｈｅ ａｄｖａｎｔａｇｅｓ ｏｆ ｂｏｔｈ ｌｉｑｕｉｄ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ ａｎｄ ｚｏｎｅ ｍｅｌｔｉｎｇ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ． Ｔｈｉｓ ａｒｔｉｃｌｅ ｒｅｖｉｅｗｓ Ｔｔｈｅ ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓｂａｓｉｃ ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ， ａｄｖａｎｔａｇｅｓ ａｎｄ ｄｉｓａｄｖａｎｔａｇｅｓ ｏｆ ｃｒｙｓｔａｌ ｇｒｏｗｔｈ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｃｓｗｉｔｈ ｔｒａｖｅｌｌｉｎｇ ｈｅａｔｅｒ ｗｅｒｅ ｒｅｖｉｅｗｅｄ． Ｔｈｅ ｈｅａｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ，ａｓｗｅｌｌ ａｓ ｔｈｅ ｍａｓｓ ａｎｄ ｈｅａｔ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｄｕｒｉｎｇｉｎ ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｃｒｙｓｔａｌ ｇｒｏｗｔｈ ｈａｓ ｂｅｅｎ ａｌｓｏ， ｗａｓ ｄｅｓｃｒｉｂｅｄ． Ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔｉｎｆｌｕｅｎｃｅｓ ｏｆ ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ， ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ ｇｒａｖｉｔａｔｉｏｎａｌ ｆｉｅｌｄ， ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｉｅｌｄ ａｎｄ ｆｏｒｃｅｄ ｃｏｎｖｅｃｔｉｏｎ ｔｏｇｅｔｈｅｒ ｗｉｔｈａｓｗｅｌｌ ａｓ ｇｒｏｗｔｈ ｒａｔｅ，ｏｎ ｔｈｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｇｒｏｗｔｈ ｐｒｏｃｅｓｓｄｕｒｅ ａｎｄ ｔｈｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｉｎｇｏｔ ｑｕａｌｉｔｙ ｈａｓ ｂｅｅｎｗｅｒｅ ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ． Ｆｉｎａｌｌｙ Ａｎｄ ｔｈｅ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｔｒｅｎｄ ｏｆ ｔｈｉｓ ｔｅｃｈｎｉｃｓ ｉｓｗａｓ ｐｒｏｓｐｅｃｔｅｄ． Ｋｅｙｗｏｒ