拓扑绝缘体与拓扑半金属方忠.pptVIP

3. Semi metals: From 2D to 3D without TRS？ 2D Chern Insulators: + - + + - - Gap opening due to SOC + + + - - - 3D: (1) Weak 3D Chern Insulators: (2) Strong 3D--Any analogy? Chern semi-metal: Time Reversal Polarization in momentum space! 3. Semimetals: Chern Insulators and semi-metal？ Weak Chern Insulators: Kz=0 Kz= π Kz=0 Kz= π Kz Topological Phase Transition 3. Semimetal: Chern semi-metal？ Chern Insulator Normal Insulator Normal Insulator Kz σxy= C e2/h 2x2 Hamiltonian in Bulk (not 4x4): Weyl nodes at: Berry’s connection: Berry’s curvature: Kz Kx Ky 3. Semimetal: Chern semi-metal？ (2) Time-reversal polarization Magnetic Monopoles in the K-space. around (See, Z. Fang, Science (2003)) (3) Fermi arcs on the side surface. Kz σxy= C e2/h (See, X. G. Wan Savaraso, PRB (2011), on AF Pyrochlore iridates) (4) QAHE in quantum well structure. (1) It is topologically unavoidable. (not accidental) Z X Y Γ * HgX sublattice is zinc-blende Two HgX sublattice are connected by Inversion, like Diamond. Space group Fd-3m (point group Oh). Each Cr atom is octahedrally coordinated by 6 nearest Se atoms. Crystal structure of HgCr2Se4 Crystal structure BZ HgCr2Se4 P. K. Baltzer, et.al, PRB (1966) HgCr2Se4 Metallic N. I . Solin, et.al, PRB (2008) AHE N. I . Solin, et.al, Phys. Solid State (1996) * Electronic structure without SOC DOS * * * 拓扑绝缘体与拓扑半金属 方忠 中科院物理研究所 中国工程物理研究院材料科学技术发展会议 * 目 录 一、简介 二、拓扑绝缘体材料：Bi2Se3，Bi2Te3 三、拓扑半金属：HgCr2Se4 1. 简介：拓扑有序态 有序态是凝聚态物理研究的基本内涵之一 例如：磁有序态、电荷有序态、超导态等 局域有序态： 对称性破缺导致有序态 （朗道对称性破缺理论） 1.物态可以用局域序参量描写 如：铁磁态的磁化强度 M(r) 2.相变伴随着对称性破缺 如：M(r)的出现破坏了 旋转对称性 宏观有序态： 拓扑有序态 （量子物理与几何的完美结合） 1. 具有拓扑性质的“量子态” 2. 不能用局域序参量描写，而要用 全局拓扑不变量描写 3. 相变过程并不伴随对称性破缺 拓扑“0” 拓扑“1” 反铁磁 铁磁 自旋波 1. 简介：拓扑绝缘体简介 拓扑绝缘体：一种全新的拓扑有序态：受时间反演性保护 要考虑 相对论+量子力学 一般绝缘体 拓扑绝缘体 金属 费米能级 能带结构 表面态 体态 体态 体态 理论模型： 1. C. L. Kane，PRL (2005) 2. S.