原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
光刻胶的一些问题
;2、下层反射造成驻波，下层散射降低图像分辨率。;驻波对于光刻图形的影响;光刻步骤简述;光刻步骤详述;硅片对准，曝光;坚膜：10～30 min，100～140 ?C;Stepper Scan System;图形转移——刻蚀;图形转移——剥离（lift-off）;去胶
溶剂去胶 （strip）：Piranha (H2SO4:H2O2)。
正胶：丙酮;光源;248 nm;2、Reducing resolution factor k1;Alternating PSM
Attenuated PSM
……;2.光学光刻分辨率增强技术(RET) ;OPC实例;3、离轴照明技术 OAI (off-axis illumination);Mask design and resist process;Lens fabrication;EUV;Minimum feature size ;EUV??Extreme ultra violet);反射式掩模版;电子束图形曝光;光栅扫描（左）和矢量扫描;电子束光刻问题：1）速度慢！;电子束光刻问题：2）电子散射及二次电子：线条宽束斑;电子束源：
热电子发射
场发射
光发射;电子束抗蚀剂;邻近效应;X射线图形曝光（XRL）;X射线图形曝光的几何效应;离子束图形曝光;不同图形曝光方法的比较;各种图形曝光技术的比较如下;光刻总结
文档评论（0）