控制系统根轨迹分析法(1).pptVIP

?过程装备与控制工程?专业 陈祥光 2013年3月 4.2.1 绘制根轨迹的相角条件和幅值条件 4.2.2 绘制根轨迹的基本规则 特征方程 可写成 因此， — 4.2 绘制根轨迹图的基本条件和基本规则 将式(4-25)代入上式，即可得到决定根轨迹分离点(或会合点)的方程 应该指出，根轨迹如有分离点，则从上列方程一定能解得与分离点对应的根，但不一定所有的根都是根轨迹的分离点。显然，分离点必须是根轨迹上的点，如果有的根不在根轨迹上，应该舍去。 — 4.2 绘制根轨迹图的基本条件和基本规则 图4-10画出了实轴上两相邻极点和两相邻零点之间 根轨迹分支的变化情况以及对应的K值变化。 — 4.2 绘制根轨迹图的基本条件和基本规则 图4-10 根轨迹在实轴上的分离点和会合点及K值变化情况 — 4.2 绘制根轨迹图的基本条件和基本规则 当两条根轨迹分支同时到达分离点时，相应于这一段根轨迹的K值达到“最大值”。K值继续增加，根轨迹就离开实轴进入s平面上的复数区域。这里所谓的“最大值” ，实际上是局部最大值。同样，根轨迹分支在会合点从复数区域进入两个零点之间的实轴部分后，随意K值继续增加，最后将终止于零点。 — 4.2 绘制根轨迹图的基本条件和基本规则 因此，对于实轴上的根轨迹来说，在会合点，K为局部最小值 。由于在分离点或会合点，K为局部极值，所以有 这样，即可利用上式求出根轨迹的分离点和会合点。 — 4.2 绘制根轨迹图的基本条件和基本规则 规则6 根轨迹与虚轴的交点 根轨迹与虚轴的交点对应于系统特征方程的纯虚根。当根轨迹从左半S平面穿过虚轴进入右半S平面时，系统由稳定变为不稳定，因此，根轨迹与虚轴的交点是很重要的点。可以用如下两种方法求取交点的 值以及相应的K值，此K值是系统的临界增益值。 — 4.2 绘制根轨迹图的基本条件和基本规则 (1). 直接将 代入特征方程，并令其实部和虚部分别等于零，即可求出交点 的 值和相应的K值。 将 代入特征方和，得 — 4.2 绘制根轨迹图的基本条件和基本规则 写成实部和虚部形式 令实部和虚部分别等于零，可得到 (4-26) 由方程组(4-26)即可求得 和K值。 — 4.2 绘制根轨迹图的基本条件和基本规则 (2).以上方法受到系统阶次的限制。遇到高阶系统时，可采用下面一种比较简便的方法。 按系统的特征方程列出劳斯阵列，并令其第一列的有关元素为零，以求出临界增益K值，再由辅助方程求出交点的 值。 — 4.2 绘制根轨迹图的基本条件和基本规则 规则7 根轨迹在复极点的出射角和在 复零点的入射角 当开环传递函数G(s)H(s)有复极点或复零点时， 根轨迹将以一定的角度从复极点出发，或以一定的 角度到达零点。这些角度可以利用相角条件，即 方程(4-10)求得。 例如系统的零点、极点分布如图4-12所示。 — 4.2 绘制根轨迹图的基本条件和基本规则 确定根轨迹从复极点( )出发的出射角， 记作 。在从( )出发的根轨迹上取一点 ，它与( )的距离为足够小的量 。 应满足相角条件 — 4.2 绘制根轨迹图的基本条件和基本规则 图4-12 确定复极点的出射角 当 时，系统所有零点和极点画向点 的定向线段 (或引向点 的矢量)都指向复极点( )。因此各零、 极点对 的相角成为对( )的相角， 而 就变成了( )的出射角，于是以上相角条件为 — 4.2 绘制根轨迹图的基本条件和基本规则 由此可求得( )的出射角为 式中 表示奇数 个，所以前边的负号可以 省去。一般对于系统某一复数极点( ), 根轨迹的 出射角由下式决定： (4-27) — 4.2 绘制根轨迹图的基本条件和基本规则 上式中 --各有限零点至极点( )的矢量幅角； --其他极点至极点( )的矢量幅角。 同样，根据相角条件可以导出系统的某一复 零点( )的入射角为 (4-28) 式中 --其他各零点至零点( )的矢量幅角； --系统各极点至零点( )的矢量幅角。 — 4.2 绘制根轨迹图的基本条件和基本规则 以上介绍了绘制根轨迹的一些基本规则，根据这些规则，可以较简便地绘制出系统根轨迹的大致图形。注：在系统设计时，出射角和入射角需精确量出，要用量角器。