QWE511-2010地舰空武器系统元器件筛选技术条件二院.pdf

Q/WE QQ//WWEE 中国航天科工集团第二研究院标准 中中国国航航天天科科工工集集团团第第二二研研究究院院标标准准 Q/WE511—2010 代替Q/WE511-2003 地舰空武器系统元器件筛选技术条件 2010—12—07发布 2011—01—07实施 中国航天科工集团二院 发布 I 目 次 前言III 第1部分：总则 1 第2部分：电阻器 2 第3部分：电位器 4 第4部分：电感器 6 第5部分：钽电解电容器 8 第6部分：铝电解电容器 10 第7部分：无机介质电容器 12 第8部分：有机介质电容器 14 第9部分：普通（非微波）半导体二极管 16 第10部分：普通（非微波）半导体晶体管 19 第11部分：场效应晶体管、可控硅、IGBT 22 第12部分：光电耦合器 25 第13部分：单片半导体集成电路 28 第14部分：混合膜集成电路、电源模块 31 第15部分：微电路模块 34 第16部分：密封电磁继电器 36 第17部分：密封温度继电器 39 第18部分：时间继电器 41 第19部分：固体继电器 43 第20部分：晶体振荡器 45 第21部分：石英谐振器 47 第22部分：低频电连接器及组件 49 第23部分：射频电连接器及组件 53 第24部分：开关及面板元件 56 II 前 言 为加强导弹武器系统用元器件的质量控制，确保元器件的可靠性，1990年首次制定发布了《导弹 武器系统电子元器件筛选技术条件》，该标准至今已经修改了3次，在确保航天型号产品科研生产任务 的顺利完成过程中发挥了重要作用。 本次修订工作是在原标准的基础上并以GJB33A-97《半导体分立器件总规范》、GJB597A-96《半导 体集成电路总规范》、GJB2438A-2002《混合集成电路通用规范》、GJB360A-96《电子及电子元器件试 验方法》、GJB128A-97《半导体分立器件试验方法》、GJB548B-2005《微电子器件试验方法和程序》、 QJ10002-2008《宇航用元器件筛选指南》、QJ10003-2008《进口元器件筛选指南》、Q/QJB103-2003《元 器件筛选技术条件》等国家、行业军用元器件技术标准为依据，结合航天科工集团公司第二研究院的科 研生产实际进行的。 本标准与Q/WE511-2003相比主要修订如下： 将Q/WE511-2003原标准中对于弹上用元器件和地面用元器件的区分变更为Ⅰ类和Ⅱ类条件； 增加了对不能测试元器件的筛选项目、程序及要求； 增加了半导体塑封表贴集成电路的筛选项目、程序及要求； 增加了光电耦合器的试验方法； 增加了Ⅱ类条件下电容器和半导体分立器件的功率老炼时间； 将原标准第7部分(Q/WE511.7-2003)调整为本标准的第2部分、第3部分、第4部分； 将原标准第6部分(Q/WE511.6-2003)调整为本标准的第5部分、第6部分、第7部分、第8部分； 修改了Q/WE511-2003总则中的部分内容； 删除了Q/WE511.3-2003特殊半导体二极管部分。 Q/WE511-2010《地舰空武器系统元器件筛选技术条件》分为24部分： 第1部分： 总则（代替Q/WE511.1-2003）； 第2部分： 电阻器（代替Q/WE511.7-2003）； 第3部分： 电位器（代替Q/WE511.7-2003）； 第4部分： 电感器（代替Q/WE