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半导体存储器：挥发性与非挥发性存储器。 DRAM、SRAM是挥发性存储器； 非挥发性存储器被广泛应用在EPROM、EEPROM、flash等IC中 6.6 MOS存储器结构 DRAM存储单元基本结构 SRAM存储单元结构图  (a) 六管NMOS存储单元； (b)六管CMOS存储单元 SIMOS管的结构和符号 EPROM存储器结构 EPROM的存储单元采用浮栅雪崩注入MOS管(Floating-gate Avalanche-Injuction Metal-Oxide-Semiconductor, 简称FAMOS管)或叠栅注入MOS管(Stacked-gate Injuction Metal-Oxide-Semiconductor, 简称SIMOS管) Gf栅周围都是绝缘的二氧化硅，泄漏电流很小，所以一旦电子注入到浮栅之后，就能保存相当长时间(通常浮栅上的电荷10年才损失30%)。 擦除EPROM的方法是将器件放在紫外线下照射约20分钟， 浮栅中的电子获得足够能量，从而穿过氧化层回到衬底中， 这样可以使浮栅上的电子消失，MOS管便回到了未编程时的状态，从而将编程信息全部擦去。 Flotox管的结构和符号 E2PROM的存储单元 E2PROM的存储单元 E2PROM的存储单元采用浮栅隧道氧化层MOS管(Floating-gate Tunnel Oxide MOS，简称Flotox)