光纤技术应用与应用第四章.pptVIP

* * 产生激光的条件 增益介质 hv hv F-P腔 激光 输出 电流注入 增益介质 已实现粒子数反转分布的系统置于严格平行的一对反射镜之间便形成F-P谐振腔。光在两个反射镜之间往返多次工程中，得到放大。 前镜 后镜 * * 半导体激光器 法布里-珀罗型激光器F-P LD 分布反馈激光器DFB LD 分布Bragg反射型激光器DBR LD 量子阱激光器QW LD 垂直腔面发射激光器VCSEL 根据反馈机制和增益特性的不同， 半导体激光器可分为： * * 法布里-珀罗型激光器F-P LD F-P LD是最常见最普通的LD. 由外延生长的有源层和有源层两边的限制层构成，谐振腔由晶体的两个解理面构成。通常为双异质结（DH）LD。 激光器实质上是一个受激发射的光振荡放大器。 * * F-P LD基本工作原理 满足振荡条件 受激放大（辐射） hv hv F-P腔 激光 输出 发光二级管 电流注入 * * 振荡条件 当增益超过由部分吸收、反射和散射等多种因素引起的总损耗，经过谐振腔的选频作用，特定频率的光波在谐振腔内积累能量并通过反射镜射出，形成激光（相干光）。 振幅条件 相位条件： n-有源层折射率；L-腔长 m-任意整数；?-波长 满足相位条件的频率有无限多个，只有那些在谱线中心附近的频率才能满足振荡条件，所以激光器的振荡频率只能取有限个分立值。 “驻波” * * 光谱特性 多纵模LD ：纵向长度为L的光波导谐振腔允许的各个模式的自由空间振荡波长表示为 相邻模式间频率差 * * Modes produced in a Typical Fabry-Perot Laser Spectral width and Linewidth at FWHM (Full Width Half Maximum) * * Output spectrum changes as power is applied Typical mode hopping behavior F-P LD在高速调制下，或在温度和注入电流变化时，不再维持原激射模式，而会出现模式跳跃和谱线展宽，这对高速应用很不利。为了维持单模，减小光谱展宽，需研究动态单模激光器?DFB LD及DBR LD（光纤通信最有前途的实用化器件） * * 分布反馈激光器DFB LD 布拉格光栅 (a) 结构 (b) 光反馈 DFB LD同F-P LD的主要区别：DFB LD没有集总的谐振腔反射镜，它的发射机构是由有源区波导上的Bragg光栅提供的。 分布式反馈 ?非常好的单色性和方向性 * * DFB LD基本工作原理 在有源区介质表面上使用全息光刻法做成周期性的波纹形状。 用泵浦（光泵浦或电泵浦）激发，造成足够的粒子数反转，?具备增益条件 只有波长满足“Bragg反射条件”的光波才能在介质中来回反射，得到不断的加强和增长。 DFB LD已成为中长距离光纤通信应用的主要激光器 ?B＝2n? 平均折射率 * * 分布Bragg反射型激光器DBR LD 与DFB LD不同的是DBR LD的Bragg光栅不在有源波导表面上，而是在有源层波导两外侧的无源波导层上，这两个无源的光栅波导充当Bragg反射镜的作用。由于有源波导的增益特性和无源周期波导的Bragg发射，只有在Bragg频率附近的光波才能满足振荡条件，从而发射出激光。 GaAs/AlGaAs DBR激光二极管 光栅 * * 量子阱激光器QW LD 特点： 低阈值电流 高输出功率 窄线宽 频率啁啾改善 调制速率高 有源区厚度薄1~10nm（FP腔100~200nm） 周期结构，将窄带隙的很薄的有源区夹在宽带隙的半导体材料之间，形成势能阱 多个势能阱--多量子阱（MQW），单个势能阱--单量子阱（SQW） * * 垂直腔面发射激光器VCSEL 垂直于衬底方向出光的面发射激光器 优点： 发光效率高(850nm的VCSEL，10mA驱动1.5mW输出光功率) 工作阈值极低（工作电流5~15mA，简化了驱动电路底设计） 可单纵模也可多纵模工作 调制速率高 寿命长（Heneywell进行了可靠性实验） 价格低、产量高 (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) 二维激光器阵列 * * 远端大楼 远端大楼 远端大楼 端局 主导的是国外光子芯! 国内外现状—国内单路核心芯片未商业决定性突破 国内激光器现状 俄罗斯第五代战机相控阵雷达—1500 TR单元 * * 非常规技术－DFB半导体激光器 基于REC技术的DFB半导体激光器 等效相移 实际相移 激射谱 P-I曲线 * * 30个波长单片集成激光器芯片研制成功 完全基于国内传统工艺，没有