增强型MOS管的开关特性回顾.pptVIP

TTL门电路输入端负载特性计算 返回 等效高电平,和高电平效果相同,但不允许直接输入此电平作为高电平! 课 后 习 题 题[3.4] 题[3.7](a) 1 C’ 1 A’ 0 1 Y’ B’ A’ B’ C’ Y’ (Y’)’=A’B’C’=(A+B+C)’ 题[3.12] VI，悬空： T饱和导通（戴维南等效VE =1.1V， RE=5.4K， IB=0.074mA， IBS=0.047mA， Vo= 0.3V. (2) VI=0V,T截止,Vo输出高电平. (3) VI=5V, T饱和导通（戴维南等效VE =2.3V, RE=3.7K）IB=0. 43mA, IBS=0.047mA,Vo= 0.3V. 题[3.13] 题[3.14] 以下为TTL门电路，问输出逻辑（输入端负载特性） 题[3.15]以下为CMOS门电路，问输出逻辑 题[3.16/17] 输入输出特性，扇出系数 原理：无论是输出高电平还是低电平，都应该提供负载门电路足够的驱动电流；应该将高电平输出和低电平输出分别考虑；注意，当输出低电平驱动负载时，每种负载门输入电流的算法(和输入端结构有关):对于与和与非负载门，应按门数；对于或和或非门，应按输入端数算。 题[3.18]输入端负载特性，前提：TTL与非门电路 题[3.19]输入端负载特性，前提：TTL或非门电路 题[3.20]前提：C