第8章离子镀膜.pptVIP

3）沉积速率 沉积速率是确定工艺过程的生产能力和沉积性能的重要因素。 试验证明，沉积速率与电子束功率、蒸距、气体压力以及膜材种类和尺寸等许多因素有关。 用热丝电子束来蒸发任何特定材料时，在蒸距以及气体压力保持不变的情况下，影响沉积速率的决定因素是电子束功率，也就是电子束的电压和放电电流。 图5-9是在蒸距及膜材毛坯规格不变的情况下，不同材料和不同电子束功率时的不同的沉积速率。 镁的曲线表明，只要在电子束功率方面发生很小的变化，就能在沉积速率方面获得很大的变化。钨的特性则相反，即或在很大的电子束功率下也只能获得较低的沉积速率。 6.4 离子镀的类型 根据膜材不同的气化方式和离化方式，可构成不同类型的离子镀膜方式。靶材的气化方式有：电阻加热、电子束加热、等离子电子束加热、高频感应加热、阴极弧光放电加热等. 直流二极型离子镀的结构原理如图4-1所示。其特征是利用二电极间辉光放电产生离子，并由基板上所加的负偏压对离子加速。按巴邢定律和气体放电理论，其辉光放电的气压只能维持在 。 由于工作压强较高，故对蒸镀熔点在1400℃以下的金属如 等多采用电阻加热式蒸发源。 如用电子束蒸发源，必须利用压差板把电子枪室和离子镀膜室分开，并采用两套真空系统，以保证电子枪工作所需的高真空度。 1.直流二极型离子镀 直流二极型离子镀的放电空间电荷密度较低，阴极电流密度仅0.25~0.4，离化率较低，一般为百分之零点几，最高也只有2%。 用它镀制的膜层均匀、具有较好的附着力和较强的绕射性，设备也比较简单，镀膜工艺容易实现，可用普通的镀膜机改装，因此目前仍具有较强一定的实用价值。 其缺点是由于轰击粒子能量大，对形成的膜层有剥离作用，同时会引起基片的温升，结果使膜层表面粗糙，质量差， 另外，由于工作真空度低会对膜层造成污染，特别是辉光放电电压和离子加速电压不易分别调整，因此工艺参数较难控制。 2.三极和多阴极型离子镀 利用热阴极6发射大量热电子，在收集极4的作用下横向穿过蒸发粒子流，发生碰撞电离。和二极型相比，三极型的离化率可明显提高，基板电流密度可提高10~20倍。 多阴极型是把被镀基片作为阴极（主阴极），在其旁侧配置几个热阴极（多阴极），利用热阴极发出的电子促进气体电离，实际上是在热阴极与阳极的电压下维持放电，见图4-6。因这种方式可在低气压下维持放电，故可实现低气压下的离子镀。 这两种方式也属于直流放电型，是二极型的改进。在直流放电离子镀中，将低能电子引入等离子区中的平均自由程增加，则可显著地提高蒸镀粒子的离化效果。 由于主阴极（基板）上所加的维持辉光放电的电压不高，而且多阴极灯丝处于基板四周，扩大了阴极区，改善了绕射性，减少了高能离子对基板的轰击作用。从而避免了二极型离子镀溅射严重、成膜粗糙、升温快而且难以控制的缺点。 由于在低气压下也可以维持稳定的放电，比二极型的真空度高一个数量级，所以镀膜质量好，光泽而致密。同时，因低能电子的引入使离化率有较大提高，可达10%左右。这种镀膜方式已成功地用于活性反应离子镀上，并在手表外壳上得到了较为理想的TiN镀层。 另外，通过调节多阴极灯丝的负电位，可调节其接收的离子量，从而调节到达基片的离子数量，这也有利于控制基片的温度。如果基片为绝缘体，也可通过多阴极灯丝的电子发射消除基片上的电荷积累，使镀膜工艺得以进行。因此，多阴极式扩展了离子镀的应用领域。 3.活性反应离子镀 在离子镀过程中，若在真空室中导入能和金属蒸气反应的气体，如 等代替Ar或将其掺入Ar气中，并用各种放电方式使金属蒸气和反应气体的分子、原子激活离化，促进其间的化学反应，在基片表面上就可获得化合物薄膜。 这种装置的蒸发源通常采用“e”型枪。真空室结构分上下两室， 上面为蒸发室，下面为电子束源的热丝发射室，两室之间设有压差孔， 由电子枪发射的电子束经压差孔偏转聚焦在坩埚中心使膜材加热蒸发。 采用这种枪既可加热蒸发高熔点金属，又为激活金属蒸气粒子提供了电子，为高熔点金属化合物的制备提供了良好的热源。 选择不同的反应气体，可得到不同的化合物薄膜。ARE法镀膜的特点是： 1)基片加热温度低。 由于电离增加了反应物的活性，故容易在较低的温度下获得附着力良好的碳化物、氮化物等膜层。若采用了CVD法，基板则要加热到1000℃左右。 2)可在任何基材上制备薄膜，如金属、玻璃、陶瓷、塑料等，并可获得多钟化合物膜，这是ARE离子镀的一个十分显著的特点。 3)淀积速率高。 每分钟可达数微米，比溅射淀积速率至少高一个数量级，而且可制备厚膜。 4)调整或改变蒸发速度及反应气体的压力，可十分方