薄膜物理气相沉积II.ppt

* 蒸发、溅射和离子镀沉积方法特点比较： 离子镀技术结合了蒸发和溅射两种方法的特点； 离子镀沉积速率和蒸发沉积速率相当； 离子镀制备的薄膜质量优于溅射法制备的薄膜。 * 原理： 使用电子束来实现金属的蒸发，而在蒸发源与衬底之间喂入反应活性气体并使之发生电离。在这种被称之为活化反应蒸发（ARE）沉积法的技术中，衬底可以接地或处于浮动电位，也可以是处于正偏压或负偏压下。 二、反应蒸发沉积 定义： 使金属蒸气通过活性气氛后，沉积并反应生成相应的化合物。 * 让金属蒸气通过处于蒸发源和衬底之间的活性气体等离子区。在这个区域中，活性气体和金属原子均处于离化的状态，从而增加了两者的反应活性，促进反应粒子越过反应的能量势垒，使其在衬底上形成相应成分的化合物薄膜。 * 活化反应蒸发（ARE）的应用： 用于各种氧化物、碳化物、氮化物硬质涂层的沉积。 优点：沉积温度显著低于化学气相沉积方法的沉积温度。 * 三、离子束辅助沉积 (Ion beam assisted deposition-IBAD) 离子束辅助沉积的提出： 为解决偏压溅射过程中等离子体放电过程不易控制因而入射离子的方向、能量、密度等条件很难综合优化的问题而提出的。 * 在离子束辅助沉积（IAD）技术中，使用单独的离子源来完成对于衬底表面的轰击。使用一个离子源对衬底进行轰击，而欲沉积的物质则来源于一个蒸发源。 * 离子束辅助沉积技术的关键部分是离子源。 离子源种类：考夫曼离子源、霍尔效应离子源和电子回旋共振等离子体离子源 考夫曼离子源是一种可以被用来产生宽束、强离子流的离子源。 * 考夫曼离子源：核心部分包括了一个装有加热阴极的放电室和装置在放电室外的离子加速栅极。通入放电室内的气体在阴极和阳极之间形成放电等离子体后被离化，然后被加速栅极引出并加速。轴向磁场的存在增加了电子的自由程，因而提高了电子的离化效率。 * 优点： 结合了高速蒸发沉积和偏压溅射离子轰击的特点； 具有离子束的能量、方向可调的优点； 可以提供高强度、能量可变、能量一致性好方向发散角小的离子束； 减少薄膜的污染。 * 霍尔效应离子源 * 优点： 结构简单，工作可靠，特别适合与输出较大束流强度的低能离子束。 缺点： 离子束具有一定的能量分布和角度发散； 由于离子源直接和薄膜沉积室相连，而作为阴极的热丝又被装置在离子源的外部，因而其工作状态会受到整个薄膜制备系统气压的限制，尤其是会受到反应气体的影响。 * 四、离化团束沉积（ionized cluster beam deposition-ICBD） 与其他沉积技术区别在于它是利用具有一定能量的离化原子团实现薄膜的沉积。这种离化后的原子团包括几百甚至上千个原子，在与衬底接触的瞬间，原子团发生破裂，原子分散开来并沉积在衬底表面。 * 为了获得离子团，首先要用蒸发法将被沉积物质以较高的密度蒸发出来。在装置中使用一个只有很小喷口的坩埚来实现物质的蒸发，使被蒸发物质在菱形埚内形成1-1000Pa的高压蒸气并从坩埚喷口处以粘滞流的形式高速喷出。由于坩埚口很小，而在坩埚外物质的蒸气压只有10-5Pa左右，因而在物质蒸气喷出的过程中，它将在绝热条件下发生膨胀并冷凝成许多稳定的原子团。 * 在装置中还设有电子离化部分，它的作用是要使一部分已形成的原子团带上负电荷。在数千伏电场的加速下，带电的原子团冲击衬底形成沉积，而未带电的原子团则只具有相当于蒸发喷射出的原子团的能量，在冲击衬底时的动能较低。 * 离化原子团束沉积的特点是将蒸发的高真空度与溅射的适当范围能量的离子轰击相结合，因而具有以下特点： （1）原子团高速冲击衬底将造成衬底局部温度升高； （2）原子表面扩散能力强； （3）创造活化的形核位置； （4）促进各个薄膜核心联成一片，成膜性好； （5）高能量原子团的轰击具有溅射清洁衬底表面和离子浅注入作用； （6）促进衬底表面发生的各种化学反应。 （7）沉积速率高 * 五、等离子体浸没式离子沉积（plasma immersion ion deposition） 工作原理：将欲沉积薄膜的工件浸没在均匀的低压等离子体中，并且在工件上施加频率为数百赫兹、数千伏的高压负脉冲。由于低压等离子体的电离度高且其离子的自由程长，因而在高压负脉冲的作用下，工件外表面处等离子体鞘层中的离子被迅速加速，并在获得相应的能量之后沉积在工件的表面上。 * 等离子体浸没式离子沉积技术的特点： 克服了普通PVD方法所具有的薄膜沉积有方向性限制的问题，适用于对具有复杂外形的工件表面进行薄膜沉积； 设备相对简单； 可完成多组元的同时沉积，对薄膜成分的控制能力强； 沉积离子的能量高，有利于薄膜的