第7章 离子镀和离子束沉积.ppt

PPT课件 第七章 离子镀和离子束沉积 * PPT课件 离子镀概述 定义：离子镀是在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质部分离化，在气体离子或被蒸发物质离子轰击作用的同时把蒸发物或者反应物沉积在基片上。 特点： 把气体的辉光放电、等离于体技术与真空蒸发镀膜结合在一起； 附着性好－表面清洗；沉积＋溅射 密度高－离子轰击，形成致密结构 绕射性－离化后的正离子沿电力线方向运动 材料范围宽－金属、非金属、合成材料、敏感材料 易于化合物膜层的形成－活性增加 沉积速率高，成膜速度快 * PPT课件 过程： 离子镀概述 真空度抽至10-4Pa的髙真空后，通入惰性气体(如Ar)，使真空度达到1~10-1Pa。 接通高压电源，在蒸发源与基片之间建立了一个低压气体的等离子体区。 使镀材蒸发，蒸发粒子进入Plasma区，与其中的正离子和被激活的惰性气体原子及电子发生碰撞，其中一部分蒸发粒子被电离成正离子，正离子在负高压电场加速的作用下，到达并沉积在基片表面成膜；其中一部分获得了能量的原子，也沉积成膜。 * PPT课件 成膜条件： 离子镀概述 j：离子电流密度 , 假设轰击基片的为一价的正离子 (Ar+) μ：淀积速率 ρ：膜层密度 NA：常数 M：膜材料质量 淀积作用 ＞ 溅射剥离效应 n ＞ nj 淀积原子、离子数/单位时间 入射离子数/单位时间 nj=0.63×1016 j/cm2?s * PPT课件 镀料的气化方式 离子镀方式 – 电阻加热– 电子束加热– 空心阴极放电– 高频感应– 弧光放电 * PPT课件 气化分子或原子的离化/激活方式 离子镀方式 – 辉光放电– 电子束– 热电子– 离子源– 弧光放电 * PPT课件 离化率是指被电离的原子数占全部蒸发原子数的百分比例。 离化率是衡量离子镀特性的一个重要指标。特别在反应离子镀中更为重要，因为它是衡量活化程度的主要参量，对镀层薄膜的各种性质产生直接影响。 离子能量：在电子束蒸发镀膜中，若蒸发温度为 2000 K，则蒸发原子的平均能量为 0.2 eV。在离子镀中，轰击离子的能量与基片加速电压有关，典型的离子能量值为50~5000 eV。 离子轰击在离子镀中的作用 离子镀膜区别于真空蒸发镀膜的许多特性均与离子、高速中性粒子参与镀膜过程有关。在离子镀的整个过程中都存在着离子轰击。 * PPT课件 离子轰击在离子镀中的作用 对基片表面的作用（膜层沉积之前） 1）溅射清洗。高能粒子轰击基片表面，引起表面原子射出，产生溅射。清除吸附气体、溅射掉表面物质、发生化学反应。 2）产生缺陷和位错网。轰击粒子的能量传递给表面的晶格原子。 3）破坏表面结晶结构。稳定的缺陷造成表面晶体结构的破坏变成非晶态结构。同时，气体的掺入也会破坏表面的结晶结构。 4）气体掺入。低能离子轰击会造成气体掺入表面和淀积膜之中，掺入气体量可高达百分之几。 5）表面成分变化。由于系统内各成分的溅射率不同，会造成表面成分与基体成分的不同。 6）表面形貌变化。表面经离子轰击后，无论晶体和非晶体基片的表面形貌，将会发生很大的变化，使表面粗糙度增大，并改变溅射率。 7）温度升高。因为轰击离子的绝大部分能量都变成热能。 * PPT课件 离子轰击在离子镀中的作用 对薄膜生长的影响 在离子镀时，一方面有镀材粒子沉积到基片上，另一方面有高能离子轰击表面，使一些沉积粒子溅射出来。当前者的速率大于后者，薄膜就会增厚。这一特殊的淀积与溅射的综合过程使膜基界面和薄膜生长具有许多特点。 1）首先是在溅射与淀积混杂的基础上，由于蒸发粒子不断增加，在膜基界面形成“伪扩散层”。这是一种膜基界面存在基片元素和蒸发膜材元素的物理混合现象。即在基片与薄膜的界面处形成一定厚度的组分过渡层，缓和了基片和膜材料的不匹配性，可提高膜基界面的附着强度。 * PPT课件 离子轰击在离子镀中的作用 对薄膜生长的影响 2）经离子轰击的表面形貌受到破坏，可能比未破坏的表面提供更多的成核位置，即使在非反应系统中成核密度也较高。可减少基片与膜层界面的空隙，使得离子镀具有良好附着力。 3）离子对膜层的轰击作用，对膜的形态和结晶组分也有影响。离子镀膜时，由于离子的轰击作用，可消除柱状结晶，减轻阴影效应，形成均匀的颗粒状结晶。 4）对膜层内应力的影响也很明显。内应力是由尚未处于最低能量状态的原子所产生的。通常，蒸发薄膜具有拉应力，离子镀薄膜具有压应力。 * PPT课件 典型的离子镀方式 活性反应离子镀ARE 在离子镀过程中，在真空室中导入