深振幅Al调制靶的化学腐蚀制备工艺研究.docVIP

　第17卷　第9期 　2005年9月强激光与粒子束H IGH POWER L ASER AND PA R TICL E B EAMS Vol. 17,No. 9　Sep. ,2005　文章编号:　100124322(2005 0921382205 深振幅Al 调制靶的化学腐蚀制备工艺研究 孙　骐, 　周　斌, 　杨　帆, 　沈　军, 　吴广明 (同济大学波耳固体物理研究所, 上海200092 3 　　摘　要:　介绍了用于惯性约束聚变分解实验的铝调制靶的制备。以半导体光刻工艺结合化学腐蚀工艺 在铝箔表面引入周期为50μm 的条槽图形, 研究腐蚀条件对腐蚀速率的影响; 采用光学显微镜、扫描电镜和台 阶仪对图形形貌和样品表面成分进行测量和分析, 获得厚度在32μm 左右、腐蚀深度达到20μm 的铝调制靶。 　　关键词:　惯性约束聚变; 　铝调制靶; 　化学腐蚀 　　中图分类号:　O484. 5　　　　文献标识码:　A 　　在惯性约束聚变(ICF 实验中, 瑞利2泰勒(Rayleigh 2Taylor ,R 2T 不稳定性是制约实验点火成功与否的重要因素之一。为了达到点火条件, 必须将R 2T 不稳定性导致的靶丸内外表面的不均匀性增长控制在允许的范围内。精密化分解实验是研究R 2T 不稳定性的重要手段。在箔靶表面引入调制图形来模拟靶丸表面的不均匀性, 通过测量激光对靶烧蚀过程中靶密度扰动的时空分布非线性增长, 结合X 射线背景照明技术诊断, 可获得R 2T 不稳定性增长的信息[1]。随着精密化分解实验的深入, 要求在具有大周期、深振幅(振幅20μm 的调制靶型上进行实验以更精确地测定R 2T 不稳定性的增长。传统的离子束刻蚀制备工艺因为使用掩模方式进行刻蚀, 掩模和被刻蚀区同时遭到刻蚀剥离, 因此限制了被加工材料的刻蚀深度, 同时再淀积效应与侧向刻蚀又会导致图形形变, 难以达到要求的图形精度。美国洛斯阿拉莫斯实验室(LANL 的Schappert 等人使用金刚石车削与电火花加工(EDM 技术已获得了周期150～160μm 、振幅30μm 的尖峰形调制的铜靶, 靶厚度为15μm , 并进行了相应的分解实验[2]。 　　铜是一种重元素, 使用铜靶会对激光器的功率密度提出较高要求, 而铝为轻元素, 则不会有这方面的限制。另外, 由于X 光激光的单色性、短脉冲和高强度, 非常适合作为研究激光辐照在靶面所留下印记的探测光, 国内也已经成功获得波长为13. 9nm 的类镍2银软X 光激光的饱和输出。选择铝作为靶材料, 可以在13. 9nm 波段获得合适的吸收系数, 既对靶厚的变化比较灵敏, 又有较强的透过性便于纪录。在靶表面加上1维或2维调制, 还可以考察测量成像系统的空间分辨, 获得成像系统在图像传递过程中的像传递函数[3]。因此, 针对分解实验的要求, 确定以铝作为靶材料, 展开对大周期、深振幅铝调制靶的研制。 　　化学腐蚀是半导体工艺中的常用步骤, 已经发展成熟并使用多年, 具有设备简单、操作方便、过程容易控制的优点。对工艺过程重新加以研究, 确立新的实验参数标准后, 即可将其应用到铝靶的制备中。以半导体光刻工艺结合腐蚀工艺在铝箔表面引入条槽图形, 图形的深度在20μm 左右, 形貌完整。通过对实验参数(温度、时间等 的研究, 获得了铝调制靶的制备工艺流程并对调制靶参数进行了测量。 1　制备与测量 1. 1　实验方法 　　采用60mm 的铝合金圆片作为基片。基片在丙酮中浸泡30min 后, 经超声震荡15min , 再用乙醇清洗后备用。在基片上粘贴厚度为(32±0. 5 μm 的工业纯铝箔(铝的含量98. 0%～99. 7% ; 进行光刻工艺中的涂胶、前烘、曝光、显影和坚膜等步骤后, 在铝箔表面的光刻胶上获得掩模图形, 图形的尺寸为周期50μm 的条纹图形。所用光刻胶型号为S1813, 匀胶机型号KW -4A , 匀胶速度4000rad/min , 光刻胶厚度为1. 5μm 。前烘温度80℃, 时间15min ; 坚膜温度120℃, 时间30min 。将带有掩模图形的铝箔浸泡在加有少量乙醇的纯磷酸中进行腐蚀, 样品腐蚀前先在烘箱中120℃处理10min 以烘干水分, 腐蚀结束后用大量去离子水冲洗, 以3收稿日期:2005204208; 　　修订日期:2005208208基金项目:国家863计划项目资助课题; 同济大学理科发展基金资助课题(1370219047 , 男, 博士生, 从事ICF 分解实验用调制靶制备工作; E 2mail :shunichi@ 。作者简介:孙　骐(1978— , 男, 教授, 材料物理与化学专业。联系作者:周　斌(1970— 去除试样表面残存的腐蚀产物, 最后在丙酮中浸泡15min 洗去光刻胶。铝调制靶的制备流程