IC工艺扩散掺杂技术应用.pptVIP

RS？ 2)硼的再分布 条件：T=1100°C； t=5?（干）—45?（湿）—5?（干O2） 求：NS2，xj， P60中的一句话 Heater 1 Heater 2 Heater 3 Pressure controller Gas flow controller Wafer handler controller Boat loader Exhaust controller Temperature controller Microcontroller Wafer load/unload system Boat motor drive system Quartz boat Quartz process chamber Three-zone heater Gas panel Process gas cylinder Exhaust 关于SUPREM III You should have understood: 1）杂质扩散有多种机制，有时会是几种机制共存。即使对于同一种杂质和衬底材料，扩散机制也可能受温度（？）、杂质浓度（？） 、外界气氛（？）等因素的影响。 2）扩散工艺的目标：确定的表面浓度？、结深？和分布？ 3）两种扩散方法（Pre-deposition和Drive-in）的特点；实验控制原理；通常的实际工艺情况（氧、增强扩散、横向扩散）和对结果的影响； 4）完整的工艺流程图 5）杂质源、扩散方式和设备。（固态源=固相扩散？） 6）扩散结果的测试的主要物理内容、方法和方法的特点。 7）扩散质量对PN Junction的I~V特性的影响。 8）为什么有些IC工艺书不介绍扩散工艺？ Assignment :(8分) 画出一个典型的两步扩散工艺的流程图，并给出工艺目标；给你在出每个步骤所选用的工艺技术和检测技术。 固溶度和扩散系数也是在工艺中对杂质选择时应考虑的因素 2.2.2. 液态源 1) B源: (如:硼酸三甲脂) 2) P源: (三氯氧磷POCl3)(POCl) PCl5对Si有腐蚀作用 2.2.3. 固态源 1) B源: BN 与液态源不一样的是B2O3生在BN上。 2）P源：P2O5 液态源和固态源都是汽—固扩散 2.2.4. 箱法扩散 （锑埋层扩散） 埋层扩散的作用： 埋层扩散的基本要求： 高浓度、低扩散系数、低外扩散 闭管扩散：如Ga扩散 2.2.5. 固—固扩散 实现低表面浓度扩散、深结扩散和某些化合物材料的扩散（见习题） 1）氧化物源扩散 先在硅表面淀积一层掺杂“SiO2“作为杂质源 2）氧化硅涂源扩散 3）纸片源 2.3. Diffusion in SiO2 1）扩散系数 2）作为选择性扩散的掩蔽膜 2.4. 扩散层的质量分析与检测 陪片评估！ 2.4.1 . 结深xj 结论：影响结深的主要因素是温度 结深的测量： 1）单探针（扩展电阻）： 2）染色法： （p53~54） 如：CuSO4?5H2O：48%HF 光照下n区染上铜 工艺中的累积高温过程的扩散 Dt(最终)= ?Diti NPN中磷扩散时的发射区下陷 氧化和分凝对结深的影响 2.4.2. 方块电阻RS （p52~53） 一般有： 由于扩散层的杂质分布不均匀，因此： Q为扩入的杂质总量 所以： 测量：四探针法 C为与样品长度、宽度、厚度、探针间距有关的修正常数。 Four Point Probe Figure 7.3 Wafer R Voltmeter Constant current source V I rs = V I x 2ps (ohms-cm) 2.4.3. 杂质分布N(x)与表面杂质分布NS RS、NS、xj三者是相关的，与分布有关。 方块电阻变化 方块电阻不变化 实际工艺中对RS、NS、xj的调控原理？ 测量： 1）单探针： Rsp ES r Probes Dire