PVD基础重点知识培训课件.ppt

离子镀 离子轰击在离子镀过程中的作用 1.离子轰击对基片的影响 对基片表面起到溅射清洗的作用 使基片表面产生缺陷 有可能导致基片结晶结构的破坏 使基片表面形貌发生变化 可能造成气体在基片表面渗入，同时离子轰击的加热作用也会引起渗入气体的释放 使基片表面温度升高 有可能导致基片化学成分的变化 离子镀 离子轰击在离子镀过程中的作用 2.离子轰击对基材和膜层交界面的影响 在膜层－基片所形成的界面形成伪扩散层 使表面偏析作用加强，从而增强沉积原子与基片原子的相互扩散 使沉积原子和表面发生较强的反应，使其在表面的活动受到限制，而且成核密度增加，促进连续膜的形成 会优先清洗掉松散结合的界面原子，使界面变得更加致密，结合更加牢固 可以大幅改善基片表面覆盖度，增加绕射性 离子镀 离子轰击在离子镀过程中的作用 3.离子轰击对薄膜生长的过程的影响 离子轰击能消除柱状结构的形成。 离子轰击往往会增加膜层内应力。离子镀膜过程中，离子轰击通过强迫原子处于非平衡位置从而增加应力。 在沉积过程中，离子对膜层的轰击可能影响膜层的形貌、晶体结构、成分、物理性能及许多其他特性。 离子镀 阴极电弧离子镀的原理 阴极电弧离子镀是采用电弧放电的方法，在固体的阴极靶材上直接蒸发金属而在基片上沉积。 离子镀 被蒸发的靶材接阴极，真空室为阳极，当通有几十安培的触发电极与阴极靶瞬间脱离时，就会引起电弧，在阴极表面产生强烈发光的阴极弧斑，弧斑直径在100μm以下，弧斑内的电流密度可达105~107A/cm2，于是在这一区域内的材料就瞬时蒸发并电离。阴极弧斑在阴极表面上，以每秒几十米的速度做无规则运动，使整个靶面均匀的被消耗。外加磁场用来控制弧斑的运动。电弧是一低电压高电流的放电过程，电弧在15～50V的电压范围内达到自持，自持电压的大小取决于阴极靶材，通常产生电弧的电流在30～400A之间。 离子镀 离子镀 离子镀 多弧离子镀的特点： ①从阴极直接产生等离子体，不用熔池，而且靶可以根据工件形状在任意方向布置，使夹具大为简化。 ②入射粒子的能量高，大约为几十电子伏，膜的致密度高，强度和耐久性好，膜层和基体界面产生原子扩散，因此膜层的附着强度好。 ③离化率高，一般可达60%-80%。 ④沉积速率快。 离子镀 多弧离子镀的缺陷 目前存在的主要问题是，弧斑喷射的液滴飞溅到膜层上会使膜层粗糙，导致膜层结构疏松，孔隙很多，对耐蚀性极为不利。 离子镀 阴极材料（也称靶材）一般采用钛、铬、锆等金属，还可使用钛铝等合金材料。 常用反应气体为氮气、碳氢化合物气体（如乙炔和甲烷）、氧气等。工作气体一般为氩气。氢气也可作为反应气体使用，但由于其危险性，工业生产中很少用到。 常见的PVD镀层有TiN、TiC、ZrN、ZrCN、ZrO等。 离子镀 PVD镀膜的主要步骤： 1.前处理 2.抽真空 3.辉光清洗 4.非反应沉积 5.反应沉积 物理气相沉积技术 PVD (Physical Vapor Deposition) 物理气相沉积 包括：真空蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀膜 PVD过程的三个阶段： 1. 气相物质的产生 2. 气相物质的输运 3. 气相物质的沉积 物理气相沉积技术 1.气相物质的产生 一种方法是使源物质加热蒸发，这种方法称为蒸发镀膜 另一种方法是用具有一定能量的粒子轰击源物质靶，从靶上溅出源物质原子，称为溅射镀膜 还有一种方法是用激光照射靶，利用热效应使靶材物质蒸发并等离子体化，称为脉冲激光沉积。 物理气相沉积技术 2.气相物质的输运 气相物质的输运要求在真空中进行，这主要是为了避免气体碰撞妨碍沉积物到达基片，并保证薄膜纯度和防止氧化。 若真空度过低，沉积物原子频繁碰撞会相互凝聚为微粒，使薄膜沉积过程无法进行，或薄膜质量太差。 物理气相沉积技术 3.气相物质的沉积 气相物质在基片上的沉积是一个凝聚过程。根据凝聚条件的不同，可以形成非晶态膜、多晶膜或单晶膜。 沉积过程包括粒子在基片上凝结、成核、长大和成膜。 真空蒸发 真空蒸发沉积过程的步骤： 1.蒸发源材料由凝聚相转变为气相 2.在蒸发源和基片之间蒸发粒子的输运 3.蒸发粒子到达基片后凝结、成核、长大、成膜 在真空环境下，给待蒸发物提供足够的热量使待蒸发材料蒸发出来，在适当的温度下，蒸发粒子在基片上沉积的过程。 真空蒸发 真空蒸发系统： 真空室 蒸发源或蒸发加热装置 放置基片及给基片加热装置 真空蒸发 真空蒸发镀膜原理图 真空蒸发 根据使蒸发源材料变成气相的不同方法，可将真空蒸发分为：电阻加热蒸发、闪烁蒸发（瞬间蒸发）、电子束蒸发、激光消融蒸发、射频加热蒸发等。