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LED制造工艺流程工艺过程氮化镓(GaN)硅(Si)50毫米200微米=0.2毫米制造衬底制造发光二极管外延片制造芯片40000个封状成成品例如GaAs、Al2O3 、Si、 SiC等一片2直径英寸的外延片可以加工20000多个LED芯片例如MOCVD中游产业：芯片制造下游产业：器件封装与应用上游产业：材料的外延与生长技术路线衬底制备外延材料生长外延片检测N面工艺薄膜转移P面工艺芯片点测划片芯片分选衬底制备直拉法主要包括以下几个过程：加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长切片磨片抛光清洗:2h光刻:刻蚀:1h一炉(8片)光刻是一个整体概念，它包括以下几个过程(以正胶为例)：(1) 涂光刻胶；(2) 前烘；(3) 曝光(使用光刻版掩膜)；(4) 显影；(5) 坚膜；(6) 腐蚀；(7) 去胶涂粘结剂，正胶并前烘曝光曝光后显影并坚膜腐蚀去胶等离子去胶机正胶 :腐蚀，去除被照的部分负胶:剥离，去除被挡住的部分，后烘刻蚀RIE和 ICP以CF4刻蚀SiO2为例说明 刻蚀包括化学过程和物理过程，化学过程是指反应气体与被刻蚀物质的化学反应，物理过程是指离子在电场作用下对被刻蚀物质的物理轰击 e* + CF4 → CF3 + F + e 4F + SiO2(s) → SiF4(g) + 2ORIE (Reactive Ion Etching)反应离子刻蚀ICP (Induced Coupled Plasma)电感耦合等离子体外延材料生长MOCVD记编号 放片子NH3TMG反应原理、反应方程式反应管Ga(CH3)3(v)+NH3(v)一GaN(s)+3CH4(v)氨气NH3衬底石墨支撑盘氢气H2三甲基镓源 TMG200nmP型导电GaN掺Mg层5×InGaN/GaN多量子阱2nm=0.002um8nm=0.008um3~4umN型导电GaN掺Si层氮化镓(GaN)缓冲层氮化铝(AlN)缓冲层430umSi(111)衬底Silicon Substrate外延层主要结构：缓冲层、N型导电层、量子　　 　阱发光层、P型导电层外延层结构外延片检测PL机 半峰宽 主波长 台阶仪清洗，去除有机物等BOE外延片P面工艺反射欧姆电极蒸镀Cr/Pt73产品 (Ag) Cr不与Ag形成欧姆接触，绝缘。Cr易氧化，粘附力差，Pt保护Cr， CrPt互补 蒸发台:温度 厚度 压力 功率 速度蒸发前清洗 80℃王水煮40min冲水10min后 HCl:H2O=1:1 泡5minNi/Ag蒸发 Ni粘附力好，但挡光，1埃合金P面电极图形P型接触层蒸发合金粘结层蒸发粘结层光刻薄膜转移压力/温度压头bonding石墨外延片与基板双面镀金基板灌蜡 堵住沟槽，保护Ag金锡邦定金金邦定不牢，表面不干净，因在邦定前不能用H2SO4泡（Ag不允许）N型层去Si衬底522( HNO3:HF:冰乙酸)去沟槽，去蜡 丙酮超声去边(去GaN防止漏电)（1）SiO2掩膜生长去边（2）SiO2掩膜光刻去边（3）去边腐蚀去边（4）去Pt (P型接触层)去边（5）去SiO2剥离？LLON面工艺表面粗化(AFM观察) 尖的高度和大小钝化蓝光SiON 2800埃 SiO2N电极蒸发Al/Ti/Au电极光刻钝化（1）SiN生长钝化（2）SiN光刻N电极蒸发（Al）N电极光刻（Al）芯片点测划片芯片分选自动分选扫描手选崩膜，扩膜贴标签计数封装 LED的封装的任务 是将外引线连接到LED芯片的电极上，同时保护好LED芯片，并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。封装形式有Lamp-LED、 TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED等。食人鱼LAMP TOP LED 大功率LED封装工艺说明芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill）芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整 扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对粘结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 点胶 在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。）工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。 由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。备胶 和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在ＬＥＤ背面电极上，然后把背部带银胶的ＬＥD安装在支架上。备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺