铁电共聚物P(VDF-TrFE)介电特性研究-.docVIP

　第46卷　第3期　　　　　　　　　　　　武汉大学学报(自然科学版　　　　　　　V ol.46　N o.3　　　2000年6月　　　　　　　　　　　　J.W uhan U niv.(N at.Sci.Ed.　　　　　June,2000,339~342 文章编号:0253-9888(200003-0339-04 铁电共聚物P(VDF-TrFE介电特性研究 乐望民,唐一文,汪大海,赵兴中 (武汉大学物理学系,武汉430072 　　摘　要:利用最小二乘法,对辐照改性后P(V DF-T rF E薄膜试样的介电常数谱进行V-F关系模拟,得出该材料具有与自旋玻璃体系及弛豫铁电体类似的性质.同时研究了其冻结温度随加工和辐照条件变化的规律.研究结果表明,通过适当选择加工和辐照条件,可以满足不同应用对铁电共聚物的要求. 关　键　词:P(V DF-T rF E;辐照改性;自旋玻璃体系;弛豫铁电体;V-F关系;冻结温度 中图分类号:O63.31　　　文献标识码:A 0　引　言 在外场(如外电场、温度、压力等激励下能产生显著机械形变的材料已引起了广泛的关注.对这类用作传感器和驱动器的材料,希望它们具有良好的性能-精确度高、反应速度快、弹性能量密度高、不易疲劳而性能稳定.然而到目前为止,能达到以上全部指标的材料却很少.例如,压电陶瓷材料虽有较快的反应速度和较低的电滞,却由于应变量太小(0.2%而难以广泛应用;形状记忆合金的应变量很可观,但反应速度慢且热滞大影响了它的发展[1,2]. 铁电聚合物,作为一种新兴材料,由于易于加工成形、轻质而成本低受到广泛的研究[3~6].铁电高分子材料聚偏氟乙烯(Poly viny lidene Fluo ride,简称PVDF及其与聚三氟乙烯(Trifluoroethy lene,简称Tr FE形成的铁电高分子共聚物P(VDF-T rFE是唯一已获得实际应用的铁电共聚物.然而,未经处理的P(VDF-T rFE由于低的压电常数和应变量而限制了它的推广应用.利用辐照改性的方法可以很好地解决这一问题[7~11].它改变了材料内的晶化区,改善了材料的各项性能-应变量和弹性能量密度均有了大幅度的提高(应变量达到4%;电滞也有了极大的收缩.也就是说,辐照改性后的P(VDF-Tr FE具有很好的压电性能.同时,经辐照改性方法处理的P(VDF-Tr FE,在传感、控制、降噪、减振等诸多高技术领域均有明确的应用前景[7~9]. 本文采用最小二乘法,对辐照改性后铁电高分子材料P(VDF-T rFE薄膜试样的 -t曲线进行Vo gel-Folcher关系[12](简称V-F关系模拟,从而得出辐照改性后的P(VDF-T rFE薄膜的f-t m关系满足V-F关系式,即具有与自旋玻璃体系[13,14]及弛豫铁电体[15]类似的性质.并对不同条件下的冻结温度t f[16]进行分析,从中得出P(VDF-T rFE随加工和辐照条件变化的规律,根据实际需要选择适当的制备和处理工艺. 1　实验及计算方法 自旋玻璃体系是指在一种非磁性金属基体中无序地分布着少量磁性杂质原子的稀释合金系统[17].这种稀释合金系统往往在某特定温度t f以下,其杂质磁矩将混乱地被冻结起来,宏观磁矩等于零,系统的这一状态称之为自旋玻璃态,t f称之为冻结温度.其磁导率 峰值和峰值温度均随频率变化,频率f 与峰值温度t m满足V-F关系式.弛豫铁电体其介电常数 峰值和峰值温度也均随频率变化,频率f 与峰值温度t m满足同样的关系式. 实验的目的是通过测量不同的频率下电容C 收稿日期:1999-12-29　　　 通讯联系人 基金项目:国家自然科学基金清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放基金资助项目作者简介:乐望民(1975-,男,硕士生,现从事高分子辐照改性研究. 随温度t 的变化,然后根据公式 =C ?d / 0?S ( 为相对介电常数, 0为真空中的介电常数, 0=8.85×10-12F ?m -1,S 为薄膜的面积,d 为薄膜的厚度来作出 -t 曲线,再对该曲线进行V-F 关系模拟.用来做实验的薄膜试样选取了两种不同的成分:P (VDF -T rFE 50/50(即摩尔百分比VDF 和T rFE 各为50%和P(VDF-T rFE 65/35(即摩尔百分比VDF 为65%,TrFE 为35%.在225℃利用热压法制成薄膜试样,厚度大约在15~40 m 之间.其中包括未辐照过的和辐照过的试样;辐照过的试样分为拉伸过的和未拉伸过的两种.本文选取了95℃和77℃两个不同的温度进行辐照.辐照处理是在氮气氛围中用3M eV 的电子进行的,剂量控制在40~150M rad 之间.在测量试样的电容之前,先在薄膜的两侧镀上金属电极.对于不同的薄膜分别