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* 回滞现象 存储特性 The end! * * * 作图软件：Origin 参考书： 《X光衍射技术基础》 王英华著，原子能出版社 薄膜材料的表征方法 * 工作模式（改变物镜光阑及透镜系统电流或成像平面位置） ： 影像模式：利用衍射现象随样品的不均匀性，即晶体的位向差、晶界、位错、第二相颗粒等造成的衍射强度随空间位置的变化，将部分透射束或衍射束投影在屏幕上构成样品的结构形貌。 衍射模式：将电子束与样品晶体点阵的周期场相互作用后产生的各个衍射束全部投影放大给出晶体点阵的衍射谱。 3.3 透射电子显微镜 (Transmission Electron Microscope，TEM) 薄膜材料的表征方法 * 影像工作模式： 用透镜光阑选取透射电子束或衍射束之中的一束或多束，构成样品的形貌像。 成像方式： （1）明场像，只使用透射电子束，而用光阑挡掉所有衍射束； （2）暗场像，透射电子束被光阑挡掉，而用一束衍射束作为成像光源； （3）相位衬度，允许两束或多束电子参与成像。理想的情况下可重现引起电子衍射的晶体点阵的周期场，形成高分辨晶体点阵像。 振幅衬度 * 250nm TEM HRTEM 薄膜材料的表征方法 * 衍射工作模式（ED）： 电子被晶体点阵衍射以后又被分成许多束，包括直接透射的电子束和许多对应于不同晶体学平面的衍射束。 将透射束和衍射束斑点组成的图像投影到荧光屏上，给出晶体在特定入射方向上的衍射谱。 通过衍射谱的分析可得到： （1）晶体点阵的类型和点阵常数； （2）晶体的相对位向； （3）与晶粒的尺寸大小、孪晶等有关的晶体显微缺陷方面的信息。 薄膜材料的表征方法 * * 标定： 1. 晶面的确定（r×d=相机常数，平行四边形法则） 2. 晶带轴的确定（晶带定律，晶面(hkl)和晶带轴[uvw]满足hu+kv+lw=0） * 六方晶系指数标定 晶面 晶向 三指数 (hkl) [uvw] 四指数 (hkil) [UVTW] 其中：i=-(h+k) T=-(U+V) u=2U+V, v=2V+U, w=W 或 U=(2u-v)/3, V=(2v-u)/3, T=-(u+v)/3, W=w * 结合HRTEM和ED，标定晶体生长方向。 参考书：《透射电子显微学》 黄孝瑛著，上海科学技术出版社 * 二次电子像 3.4 扫描电子显微镜 （Scanning Electron Microscopy，SEM） 特点：分辨率较高（可以达到5nm左右）； 景深很大； 需要样品具有一定的导电能力。 二次电子是入射电子从样品表层激发出来能量最低的一部分电子。光电倍增管接收二次电子信号调制荧光屏扫描亮度,样品表面的起伏变化使二次电子发射的数量及角度分布变化，保持屏幕扫描与样品表面电子束扫描同步，即可使屏幕图像重现样品的表面形貌，而屏幕上图像的大小与实际扫描面积大小之比即是扫描电子显微镜的放大倍数。 * 薄膜材料的表征方法 * 3.5 扫描探针显微镜 （Scanning Probe Microscope） 利用尺寸极小的显微探针，在极为接近样品 表面的情况下，通过探测物质表面某种物理效 应随探测距离的变化，获得原子尺度的表面结 构或其他方面的信息。 扫描隧道显微镜(STM) 原子力显微镜(AFM) 横向力显微镜(LFM) 磁力显微镜(MFM) 静电力显微镜(EFM) 薄膜材料的表征方法 * 扫描隧道显微镜 Scanning Tunneling Microscopy 测量穿越样品表面与显微探针针尖之间的隧道 电流，利用隧道电流作为反馈信号，获得样品表 面形貌特征。 薄膜材料的表征方法 * 特点： （1）分辨率高（高度、水平方向分别达0.002nm和0.2nm）； （2）测量的实际上是样品表面的电子态密度的分布，测量对 象是具有一定导电能力的导体和半导体； （3）通常在高真空下工作，亦可工作于室温、大气环境。 薄膜材料的表征方法 * 薄膜材料的表征方法 * Cu Ni 薄膜材料的表征方法 * 原子力显微镜 Atomic Force Microscopy 测量物质原子间的作用力，由显微探针受力的大小直接换算出样品表面的高度，从而获得样品表面形貌的信息。 薄膜材料的表征方法 * 薄膜材料的表征方法 * 工作模式： 接触式：探针与样品表面相接触，直接感受到表面原子与探针间的排斥力（10-6~10-7N），分辨率高。 非接触式：探针以一定的频率在距样品表面5~10nm的距离上振动，感受表面原子与探针间的引力（~