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半导体的生产工艺流程 微?机?电?制?作?技?术?，?尤?其?是?最?大?宗?以?硅?半?导?体?为?基?础?的?微?细?加?工?技?术?(silicon- basedmicromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这类制 程，以免沦于夏虫语冰的窘态。 一、洁净室 一般的机械加工是不需要洁净室(cleanroom)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日 常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计 算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的 样式，造成电性短路或断路的严重后果。 为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的 来由。洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以?class10?为例，意谓在单位立方英呎的洁净 室空间内，平均只有粒径?0.5?微米以上的粉尘?10?粒。所以?class?后头数字越小，洁净度越 佳，当然其造价也越昂贵。 为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下： 1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机，将经滤 网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之，鼓 风机加压多久，冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘 在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物进出，都必须经过空气吹浴(airshower)的程序，将表面粉尘先行去除。 6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣， 除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得 像航天员一样。)当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。 7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水(DIwater,de-ionizedwater)。一则防止水中粉 粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半(MOS)晶体管结构之带 电载子信道(carrierchannel)，影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率(resistivity)来 定义好坏，一般要求至?17.5MΩ-cm?以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO?逆 渗透、与?UV?紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁 剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！ 8、洁净室所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使用氮气(98%)， 吹干晶圆的氮气甚至要求?99.8%以上的高纯氮！以上八点说明是最基本的要求，另还有污 水处理、废气排放的环保问题，再再需要大笔大笔的建造与维护费用! 二、晶圆制作 硅晶圆(siliconwafer)是一切集成电路芯片的制作母材。既然说到晶体，显然是经过纯炼与结 晶的程序。目前晶体化的制程，大多是采「柴可拉斯基」(Czycrasky)拉晶法(CZ?法)。拉晶 时，将特定晶向(orientation)的晶种(seed)，浸入过饱和的纯硅熔汤(Melt)中，并同时旋转拉 出，硅原子便依照晶种晶向，乖乖地一层层成长上去，而得出所谓的晶棒(ingot)。晶棒的 阻值如果太低，代表其中导电杂质(impuritydopant)太多，还需经过?FZ?法(floating-zone)的再 结晶(re-crystallization)，将杂质逐出，提高纯度与阻值。 三、半导体制程设备 半导体制程概分为三类：(1)薄膜成长，(2)微影罩幕，(3)蚀刻成型。设备也跟着分为四类： (a)高温炉管，(b)微影机台，(c)化学清洗蚀刻台，(d)电浆真空腔室。其中(a)~(c)机台依序对 应(1)~(3)制程，而新近发展的第(d)项机台，则分别应用于制程(1)与(3)。 由于坊间不乏介绍半导体制程及设备的中文书籍，故本文不刻意锦上添花，谨就笔者认为 较有趣的观点，描绘一二！ (一)氧化（炉）（Oxidation） 对硅半导体而言，只要在高于或等于?1050℃的炉管中，如图?2-3?所示，通入氧气或水汽， 自?然?可?以?将?硅?晶?的?表?面?予?以?氧?化?，?生?长?所?谓?干?氧?层?(dryz/gateoxide)或?湿?氧?层 (wet/fieldoxide)，当作电子组件电性绝缘或制程掩膜之用。氧化是半导体制程中，最干净、 单纯的一种；这也是硅晶材料能够取得优势的特性之一（他种半导体，如砷化镓?GaAs，便 无法用此法成长绝缘层，因为在?550℃左右，砷化镓已解离释放出砷！）硅氧化层耐得住 850