模拟cmos集成电路设计拉扎维第二章MOS器件物理基础.pptVIP

西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 体效应对电路性能影响 体效应会导致设计参量复杂化， AIC设计通常不希望有体效应。但也有利用体效应工作的电路 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 利用体效应工作的电路实例 Vsn Vgp Vin Mp1 Mp2 Mn Vref Io Iout US Patent：5998777 V-I转换电路 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 沟道长度调制效应 L L’ 假设： 短沟道MOS管时该近似会明显影响精度 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 沟长调制效应 AIC设计中通常不希望ID随VDS变化。 会降低放大器的输出电阻，会导致偏置电流改变，等。 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 亚阈值导电性 截止——弱反型——中反型——强反型 渐进的连续变化过程，VGS?VTH时仍有IDS存在 ?1, 系数，[zi:t?] 当VDS大于200mV时 带来功耗；被存储的信息的丢失 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 亚阈值导电性[Gray] Vt 为阈值电压 VT 为热电压 n：由工艺决定 It：VGS=Vt、W/L=1、VDS?VT时的漏电流 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 用亚阈值特性确定阈值电压 如何测量确定阈值电压？ 测深线性区的MOS管的导通电阻RON随VGS的变化 VG IDS VD VS VGS IDS/VDS 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 用亚阈值特性确定阈值电压 粗略估算方法 ID/W=1?A/?m所对应的VGS为VTH ，此时MOS管工作在亚阈区附近。为什么？ 在ID一定时，W逐渐增大会导致VGS逐渐接近VTH ；再增大时会进入亚阈值区 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 亚阈值区时的跨导 强反型时的跨导: 在ID一定时，亚阈值区的跨导比强反型区时大，有利于实现较大放大倍数，且功耗极低 但单位沟道宽度的源漏电流ID/W小，只能用于极低速电路 双极晶体管： 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 电压限制 栅击穿 不可恢复的损伤 PN结击穿 源漏穿通 热载流子效应 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 本讲 基本概念 简化模型－开关 结构 符号 I/V特性 阈值电压 I-V关系式 跨导 二级效应 体效应、沟道长度调制效应、亚阈值导电性 器件模型 版图、电容、小信号模型等 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 MOS器件版图 根据电特性要求和工艺设计规则设计 斜视图（bird’s eye ，angled view） 俯视图（vertical view） 栅接触孔开在沟道区外 AIC设计希望源漏PN结寄生电容小 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 MOS器件版图 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 MOS管中的电容 分析MOS管交流特性时必须考虑电容影响 C3、C4：覆盖电容；由于边缘电力线的影响，不能简单地等于WLDCOX C5、C6：结电容；=底电容+侧壁电容 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 MOS管中的电容 寄生电容往往随偏置电压的变化而变化 EDA工具在寄生参数提取时会自动提取每个节点精确的寄生电容值 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 MOS管中的电容－低电容版图 折叠结构的版图漏端寄生电容小 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 MOS管中的电容－不同工作区 截止区 L为有效沟道长度 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 MOS管中的电容－不同工作区 深三极管区 饱和区 CGB常被忽略 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 MOS大信号和小信号模型 大信号模型 由I-V特性关系式、CGS等电容的电容值构成 信号相对于偏置工作点而言比较大、会显著影响偏置工作点时用该模型 小信号模型 信号相对于偏置工作点而言比较小、不会显著影响偏置工作点时用该模型简化计算 由gm、 gmb、rO等构成低频小信号模型，高频时还需加上 CGS等寄生电容、寄生电阻（接触孔电阻、导电层电阻等） 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 MOS饱和区时的小信号模型 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 MOS饱和区时的小信号模型 i: t?或eit? 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 MOS管的完整小信号模型 对于手算，模型不是越复杂越好。能提供合适的精度即可 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 MOS小信号模型中的电阻 通常忽略 合理设计版图能减小电阻 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 MOS SPICE模型 模型精度决定电路仿真精度 最简单的模型——Level 1，0.5?m 适于手算 西电微电子学院－董刚－模拟集成电路设计 NMOS管与PMOS管 在大