第2章 射频元器件及电路模型.ppt

§2.4 场效应晶体管 3. 噪声系数分析 下图是GaAs MESFET的噪声等效电路，它可用来计算GaAs MESFET的噪声系数性能。 最小噪声系数： GaAs MESFET的噪声等效电路 其中： §2.4 场效应晶体管 2.4.2 高电子迁移率晶体管 高电子迁移率晶体管（HEMT）具有很高的频率特性和很低的噪声性能，这主要是因为其产生的二维电子气（2DEG）有很高的迁移率。这种器件能用于微波和毫米波功率应用中，且在高于X波段时其性能要优于MESFET。 AlGaAs/GaAs HEMT的横截面结构及其导带外形结构 §2.4 场效应晶体管 1. HEMT的直流工作特性 HEMT的输出特性与GaAs MESFET的输出特性非常相似，如图所示其输出特性可分为线性区域和饱和区域两部分。 HEMT的输出特性 在线性区域内： 在饱和区域内： 第2章 射频元器件及电路模型 教学 重点 本章重点介绍了电感器、电容器、电阻器等无源集总元件的物理结构、射频特性及等效电路模型；射频二极管、双极型晶体管、场效应晶体管的等效电路模型、模型与应用；并对比分析了双极型和场效应两类晶体管的频率、功率和噪声性能。