拉扎维模拟集成电路精讲第一讲mos器件特性分析.pptVIP

栅极电阻 MOS 低频小信号模型 完整的MOS小信号模型 MOS SPICE模型 在电路模拟（simulation）中，SPICE要求每个器件都有一个精确的模型。 种类 1st 代：MOS1，MOS2，MOS3； 2nd代：BSIM，HSPICE level＝28，BSIM2 3rd代：BSIM3，MOS model9，EKV(Enz-Krummenacher-Vittoz) 目前工艺厂家最常提供的MOS SPICE模型为BSIM3v3 （UC Berkeley） 仿真器： HSPICE；SPECTRE；PSPICE 用简单的模型设计（design），用复杂的模型验证（verification）； 模型用于： 大信号静态 (dc variables) 小信号静态 (gains, resistances) 小信号动态 (frequency response, noise) 大信号动态 计算机模型（spice model）用于计算机验证，而非用于设计 本章基本要求 掌握MOSFET电流公式及跨导公式。 掌握MOSFET的二阶效应。 掌握MOSFET小信号等效电路。 * 假定漏极电压0，由于沟道电势从源极的0V变化到漏极的VD，所以栅与沟道间的局部电压差从VG变化到VG-VD。 * Level 1 (MOS1) ? Basic square law model based o