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第 6 章 MOS模拟集成电路基础;考虑 vDS的差异，修正为：;2. 比例电流源;3. 威尔逊电流源;4. 改进型威尔逊电流源;6.1.2 MOS单级放大器;E/D型共源放大器;CMOS型共源放大器;CMOS型共源放大器的大信号特性：;CMOS型共源放大器的小信号特性：;6.1.3 MOS源耦对与差动放大器;;6.1.3.2 MOS源耦差动放大器;;6.1.4 CMOS 互补输出级;6.2 CMOS集成运算放大器;6.2.1.2 NMOS输入级低功耗运放;6.2.1.3 MOS运放相位补偿的特点;6.2.1.4 高共模抑制比的CMOS运放输入级;6.2.2 单片集成微功耗CMOS运放;6.2.3 斩波稳零超低漂移单片集成CMOS运放;6.3 CMOS集成电压比较器;6.3.2 高精度自稳零CMOS集成电压比较器;6.4 MOS模拟开关;Ron的变化曲线：;6.4.2 CMOS开关电路;消除衬底调制效应底CMOS开关电路;6.4.3 CMOS四通道模拟开关
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