光电子器件第二章半导体异质结.ppt

* 2.6 异质结的特性 高注入比 超注入现象 异质结对载流子和光场的限制作用 * 异质结的双限制效应 对载流子的限制 对光场的限制 * 作业 各种不同异质半导体在接触之前的能带图如下页各图显示，请分别画出在不同情形之下的、当两种异质材料接触后的能带图。 * Ec1 Ev1 EF1 Ec2 Ev2 EF2 Ec1 Ev1 EF1 Ec2 Ev2 EF2 Ec1 Ev1 EF1 Ec2 Ev2 EF2 Ec1 Ev1 EF1 Ec2 Ev2 EF2 (1) (2) (3) (4) * 金属半导体接触 对于p型半导体在何时形成Schottky接触，在何时形成ohm 接触？ 对于n型半导体在何时形成Schottky接触，在何时形成ohm 接触？ * eVA-p eVA-N eVbi-p eVbi-N 外加正偏压下pN异质结能带图的变化 外加正向偏压VA后 VA = VA-p+VA-N e(Vbi-p -VA-p) e(Vbi-N -VA-N) * 外加偏压下的内建电势差 (1) (2)两式相除，根据耗尽区内电中性条件，可以得到： 外加偏压下p区和N区的内建电势差分别变化为： 由前面平衡态下的推导过程可以知道， 其中x’p 和x’N和外加偏压后p、N区的耗尽宽度 外加电压分配比与内建电势分配比相同。 * 因为： 令： 外加偏压在异质结两边的分配 所以： 在下面的伏安特性推导时，