半导体二极管和晶体管.pptxVIP

第一章　半导体二极管和晶体管1.1 半导体的基本知识1.2 PN结1.3 半导体二极管1.4 半导体二极管的应用1.5 稳压二极管1.6 双极型晶体管1.6 双极型晶体管（BJT）晶体管又称半导体三极管晶体管是最重要的一种半导体器件之一，它的放大作用和开关作用，促使了电子技术的飞跃。半导体三极管有两大类型： 一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管* 双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件，它由两个 PN 结组合而成，是一种CCCS器件。 场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种VCCS器件。双极型晶体管的结构晶体管的主要类型(1) 根据结构分为: NPN型和PNP型(2) 根据使用的半导体材料分为:硅管和锗管 1. NPN型晶体管结构示意图和符号NPN发射结JE集电结JC发射极E(e)集电极C(c)发射区基区集电区NPN型晶体管结构示意图基极B(b)发射结JE集电结JC集电极C(c)发射极E(e)发射区基区集电区NPNC(c)基极B(b)TB (b)E(e)NPN型晶体管符号基区C(c)发射区集电区E(e)PNPJEJCC(c)B(b)TB (b)结构示意图符号E(e)2.PNP型晶体管结构示意图和符号EB发射区基区集电区C3.晶体管的内部结构特点（具有放大作用的内部条件）平面型晶体管的结构示意图(1) 发射区面积小，掺杂浓度高。EB发射区基区集电区C(2) 集电区面积大，掺杂浓度低。(3) 基区掺杂浓度很低，且很薄。晶体管的工作状态晶体管的工作原理（以NPN型管为例）依据两个PN结的偏置情况放大状态饱和状态截止状态倒置状态––++1．发射结正向偏置、集电结反向偏置——放大状态 原理图电路图 (1) 电流关系––++发射区向基区扩散电子称扩散到基区的发射区多子为非平衡少子a. 发射区向基区扩散电子形成发射极电流IE––++发射区向基区扩散电子基区向发射区扩散空穴b. 基区向发射区扩散空穴形成空穴电流––++基区向发射区扩散空穴发射区向基区扩散电子因为发射区的掺杂浓度远大于基区浓度，空穴电流可忽略不记。IB非平衡少子在基区复合，形成基极电流IB––++非平衡少子向集电结扩散c. 基区电子的扩散和复合ICIB––++d. 集电区收集从发射区扩散过来的电子非平衡少子到达集电区形成集电极电流ICICIBICBO集电区少子空穴向基区漂移基区少子电子向集电区漂移––++少子漂移形成反向饱和电流ICBOe. 集电区、基区少子相互漂移晶体管的电流分配关系动画演示输出回路输入回路发射结回路为输入回路，集电结回路为输出回路。基极是两个回路的公共端，称这种接法为共基极接法。 ICIBICBO称为共基极直流电流放大系数，反映了发射区注入基区的电子被集电区收集的能力定义ICIBICBO各电极电流之间的关系 IE=IC+IB ICICBOIB晶体管共射极接法原理图电路图ICICBOIB当UCEUBE时，发射结正偏，集电结反偏，晶体管仍工作于放大状态。定义为共射极直流电流放大系数ICICBOIB各电极电流之间的关系ICEO称为穿透电流或一般情况的关系由ICICBOIB当输入回路电压U BE =UBE+△UBE那么I B =IB+△IBI C =IC+△ICI E =IE+△IE 如果 △UBE 0，那么△IB 0， △IC 0 ，△IE 0 如果 △UBE 0，那么△IB 0， △IC 0 ，△IE 0 定义为共基极交流电流放大系数 为共射极交流电流放大系数 α与β的关系一般可以认为iB = ib + IB+iCiBRCiC = ic + ICT+uCE+ui_iEuBEVCCuCE = uce + UCERB__uce = –icRC其中VBB设输入信号ui=Uimsinωt V(2) 放大原理uBE = ube + UBE那么放大电路UCE = VCC –ICRCuCE = uce + UCE由uce = – icRC+iCiBRCT+uCE+ui_iEuBEVCCRB__VBB可知a. 在RC两端有一个较大的交流分量可供输出。b. 交流信号的传递过程为ui →ib→ic→icRc2．发射结正向偏置、集电结正向偏置——饱和状态 饱和状态的特点(1) UCE≤UBE，集电结正向偏。(2) IC ? bIB，IB失去了对IC的 控制。(3) 集电极饱和电压降UCES较小，小功率硅管为0.3~0.5V 。(4) 饱和时集电极电流3．发射结反向偏置、集电结反向偏置——截止状态截止状态的特点(1) 发射结反偏(2) IC=ICBO(3) IB=－ICBO4．发射结反向偏置、集电结正向偏置——倒置状态倒置状态的特点(1) 集电区扩散到基区的多子较少(2) 发射区收集基区的非平衡少数载流子的能力小(3) 管子的电流