无机合成化学 第三章 经典合成方法.ppt

* 高压合成要测量的物理量首先是作用在试样单位面积上的压力，也就是压强。在高压研究的文献中，一般都习惯地把压强称为压力，它不等于外加的负载。 1962年，人们将质地柔软的层状石墨作起始材料，不加催化剂，在约12.5GP、3000K的高压高温条件下，使石墨直接转变成具有立方结构的金刚石。 金刚石是至今自然界已知的最硬的材料。由于石墨和金刚石都是由碳元素构成的，高压高温作用使它发生了同素异型相转变，金刚石是石墨的高压高温新相物质。合成时没有外加催化剂的参与．这是一种静高压高温直接合成法。 * 在不同的情况下，高压表现出许多具体的特殊作用。 真空度是指一个被抽空间所达到的真空程度。它只能用百分数来表示。真空度和压强是两个完全不同的概念。真空度高，压强低。 * PECVD：等离子增强化学气相沉积 LCVD：激光化学气相沉积 与热分解法比，合成反应沉积的应用更为广泛。因为可用于热分解沉积的化合物并不很多，而无机材料原则上都可以通过合适的反应合成得到。 *  超真空化学气相沉积系统 金属有机化学气相沉积系统 CVD 装置 CVD制备装置一般由反应室、气体输送和控制系统、蒸发器、排气处理系统等构成。 CVD样品 CVD ZnS CVD ZnSe 常用的CVD技术 (1)常压化学气相沉积、(2)低压化学气相沉积、(3)等离子体增强化学气相沉积。 沉积方式 优点 缺点 NPCVD 反应器结构简单 沉积速率快 低温沉积 阶梯覆盖能力差 粒子污染 LPCVD 高纯度 阶梯覆盖能力极佳 产量高，适合于大规模生产 高温沉积 沉积速率低 需要增加真空系统 PECVD 低温制程 沉积速率快 阶梯覆盖性好 化学污染 粒子污染 三种CVD方法的优缺点比较 实验室中，大家比较熟悉的加热设备是煤气灯、酒精灯、酒精喷灯，它们是通过煤气和酒精的燃烧来产生高温。煤气灯可以把较小的坩埚加热到700-800度，难以满足无机材料合成中对温度的更高要求。 此外，还常用电炉和电热套来作为加热设备，它们利用电阻丝通电来获得高温。但通常只能产生几百度的高温。 普通电热套达400度，高温电热套800-1000度。 上面这些获得高温的手段中，最常用的就是高温电阻炉。 从外形上，电阻炉可以分为方形炉、竖式炉和管式炉。 * 电阻炉是实验室和工业中最常用的加热炉，它的优点是设备简单，使用方便，温度可精确地控制在很窄的范围内。应用不同的电阻发热材料可以达到不同的高温限度。炉内工作室的温度将稍低于这个温度。应该注意的是一般使用温度应低于电阻材料最高工作温度，这样就可延长电阻材料的使用寿命。 * 测温仪表分为接触式和非接触式两大类。接触式可以直接测量被测对象的真实温度，非接触式只能获得被测对象的表观温度。 一般非接触式测温仪表精度低于接触式。 铂铑-铂热电偶 （低灵敏度，抗氧化）； 钨铼-钨可以用到更高的温度，但只能在真空中或惰性气氛中使用。 制陶反应：如各种陶瓷材料、金属陶瓷、金属氧化物以及复合氧化物等均是借高温下固相反应来合成的。 高温固相反应是一类很重要的高温合成反应，它不需要使用溶剂，具有高选择性、高产率、工艺过程简单等优点，已成为人们制备新型固体材料的主要手段之一。从热力学性质看，此反应完全可以进行，然而实际上在1200 ℃以下几乎观察不到反应的进行，即使在1500 ℃反应也得数天才能完成。 在一定的高温下，MgO和Al2O3 晶粒界面间将发生反应而生成尖晶石型化合物MgAl2O4层。这种反应的第一阶段是同样，进一步实现在晶核上的晶体生长也有相当的困难， 综上所述，固-固反应进行的条件是反应物相互接触，在接触面上发生反应生成新的固相。因此，反应结果和反应速率明显受到以上三个因素影响。为了消除这种扩散控制过程，在进行高温反应前，通常对反应物进行粉碎并混合均匀，有时还要压制成坯体，来增大反应物接触面积。例如，在陶瓷材料高温烧结过程中，尽可能使起始原料细化并通过研磨充分混匀，加压成型，然后再进行烧结。有时为使反应完全和陶瓷烧结致密，往往要经过反复研磨和预烧。 综上所述，固-固反应进行的条件是反应物相互接触，在接触面上发生反应生成新的固相。因此，反应结果和反应速率明显受到以上三个因素影响。为了消除这种扩散控制过程，在进行高温反应前，通常对反应物进行粉碎并混合均匀，有时还要压制成坯体，来增大反应物接触面积。例如，在陶瓷材料高温烧结过程中，尽可能使起始原料细化并通过研磨充分混匀，加压成型，然后再进行烧结。有时为使反应完全和陶瓷烧结致密，往往要经过反复研磨和预烧。 高炉炼铁 还原氯化物时多以钠来还原; 还原氟化物时多以钠来还原. 还原氧化物时多以铝来还原. 将冰块和盐尽量磨细并充分混合，可以达到比较低的温度，冰和盐的比例不同，能够达到的温度也不一样。