第三章-数字电子技术基础.ppt

五、动态开关特性 从二极管已知，PN结存在电容效应。 在饱和与截止两个状态之间转换时，iC的变化将滞后于VI，则VO的变化也滞后于VI。 六 、三极管反相器 三极管的基本开关电路就是非门 实际应用中，为保证 VI=VIL时T可靠截止，常在 输入接入负压。 参数合理？ VI=VIL时，T截止，VO=VOH VI=VIH时，T截止，VO=VOL 例3.5.1：计算参数设计是否合理 5V -8V 3.3KΩ 10KΩ 1KΩ β=20 VCE(sat) = 0.1V VIH=5V VIL=0V 例3.5.1：计算参数设计是否合理 将发射极外接电路化为等效的VB与RB电路 当 当 又 因此，参数设计合理 3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 设 二、电压传输特性 五、MOS管的四种类型 增强型 耗尽型 大量正离子 导电沟道 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 二、电压、电流传输特性 三、输入噪声容限 结论：可以通过提高VDD来提高噪声容限 3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 一、输入特性 二、输出特性 二、输出特性 3.3.4 CMOS反相器的动态特性 一、传输延迟时间 二、交流噪声容限 三、动态功耗 三、动态功耗 3.3.5 其他类型的CMOS门电路 一、其他逻辑功能的门电路 1. 与非门 2.或非门 带缓冲极的CMOS门 1、与非门 带缓冲极的CMOS门 2.解决方法 二、漏极开路的门电路（OD门） 三、 CMOS传输门及双向模拟开关 1. 传输门 2. 双向模拟开关 四、三态输出门 三态门的用途 双极型三极管的开关特性 （BJT, Bipolar Junction Transistor） 3.5 TTL门电路3.5.1 半导体三极管的开关特性 一、双极型三极管的结构 管芯 + 三个引出电极 + 外壳 基区薄 低掺杂 发射区高掺杂 集电区低掺杂 以NPN为例说明工作原理： 当VCC VBB be 结正偏, bc结反偏 e区发射大量的电子 b区薄，只有少量的空穴 bc反偏，大量电子形成IC 二、三极管的输入特性和输出特性 三极管的输入特性曲线（NPN） VON ：开启电压 硅管，0.5 ~ 0.7V 锗管，0.2 ~ 0.3V 近似认为: VBE VON iB = 0 VBE ≥ VON iB 的大小由外电路电压，电阻决定 三极管的输出特性 固定一个IB值，即得一条曲线， 在VCE 0.7V以后，基本为水平直线 特性曲线分三个部分 放大区：条件VCE 0.7V, iB 0, iC随iB成正比变化， ΔiC=βΔiB。 饱和区：条件VCE 0.7V, iB 0, VCE 很低，ΔiC 随ΔiB增加变缓，趋于“饱和”。 截止区：条件VBE = 0V, iB = 0, iC = 0, c—e间“断开” 。 三、双极型三极管的基本开关电路 只要参数合理： VI=VIL时，T截止，VO=VOH VI=VIH时，T导通，VO=VOL 工作状态分析： 图解分析法： 四、三极管的开关等效电路 截止状态 饱和导通状态 高教出版社 《数字电子技术基础》第五版 《数字电子技术基础》（第五版）教学课件清华大学 阎石 王红 联系地址：清华大学 自动化系 邮政编码：100084 电子信箱：wang_hong@tsinghua.edu.cn 联系电话：(010补：半导体基础知识 半导体基础知识（1） 本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体。 常用：硅Si，锗Ge 两种载流子 半导体基础知识（2） 杂质半导体 N型半导体 多子：自由电子 少子：空穴 半导体基础知识（2） 杂质半导体 P型半导体 多子：空穴 少子：自由电子 半导体基础知识（3） PN结的形成 空间电荷区（耗尽层） 扩散和漂移 半导体基础知识（4） PN结的单向导电性 外加正向电压 半导体基础知识（4） PN结的单向导电性 外加反向电压 半导体基础知识（5） PN结的伏安特性 正向导通区 反向截止区 反向击穿区 K:波耳兹曼常数 T:热力学温度 q: 电子电荷 第三章 门电路 3.1 概述 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路