半导体的导电性资料.pptxVIP

第四章、 半导体的导电性 本章在已知电子和空穴在导带和价带的分布情况的情况下，讨论载流子在外加电场下的运动规律。目的：？？2010年11月26日星期四 第页主要内容：载流子的漂移运动 迁移率载流子的散射迁移率与杂质浓度和温度的关系电阻率与杂质浓度和温度的关系强场下的效应 热载流子多能谷散射2010年11月26日星期四 第页4、半导体中主要的两种散射机构是什么？在有多种散射机构存在的情况下，为什么迁移率主要由自由时间短的机理决定？ （2006）9、（16分）在T=300K下，一N型半导体Si样品，测得的电阻率为0.1?-cm。 （1）求此时的电子浓度和空穴浓度（查图）。 （2）若在此样品中，再掺入9?1016cm-3P型杂质，求此时样品的电阻率、多子浓度和少子浓度。并求出此时多子的迁移率（查图）。（2006）2010年11月26日星期四 第页６、一N型硅样品杂质浓度为ND1，经扩硼B后（掺杂浓度为NA）样品变为P型；再经扩磷P（杂质浓度为ND2）样品又变为N型，此时载流子浓度为多少？与未扩散前的N型样品相比，迁移率有何变化？７、半导体的电阻率通过掺杂可以敏感地控制，“掺入百万分之一的杂质，可以引起电阻率百万倍变化”，以硅为例，忽略掺杂对迁移率的影响，粗略估算证明之。2010年11月26日星期四 第页9、（16分）什么是载流子的迁移率？迁移率与载流子的平均自由时间成正比。有两种载流子的