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同步升压转换器设计中?MOSFET?的选择要素分析 2012-02-22 中心议题： 同步升压转换器设计中?MOSFET?的损耗分析 同步升压转换器的?MOSFET?选择策略 解决方案： 最优化门极驱动电压 最优化电源输入电压 最优化工作条件 在个人计算机应用领域，随着为核心?DC-DC?转换器开发的同步升压转换器的开关频率向 着?1MHz-2MHz?范围转移，MOSFET?的损耗进一步增加。鉴于大多数?CPU?需要更大的电 流和更低的电压，这种问题被复杂化了。如果你考虑其它支配损耗机制的参数，如电源输 入电压和门极电压，我们就要处理更为复杂的现象。但是，这并不是问题的全部，我们还 会遇到可能造成损耗极大恶化并降低电源转换效率(ξ)的二次效应。 这些二次效应包括击穿损耗和因像电容和电感等效串联电阻(ESR)、电路板电阻及电感、 MOSFET?封装寄生电感所这样的寄生电阻引起的损耗。其它二次损耗机制是?MOSFET?的 电极电容之间的充电和放电，包括门极-源极间电容(Cgs)、米勒门极漏极电容(Cgd)和漏极- 源极间电容(Cgs)。 随着频率越来越高，因体二极管反向恢复造成的损耗会更为显著，必须加以考虑。现在， 很显然选择同步升压转换器的?MOSFET?不再是一项微不足道的练习，它需要可靠的方法来 选择最佳的组合，并结合对上述所有问题的深入理解。本文将详细地讨论所有这些效应并 将向您演示如何作出这种选择。 传导损耗 由于电流流过?MOSFET?的?Rdson?会产生器件的电阻损耗，图?1?所示的?MOSFET?的损耗 M1?和?M2?可以由下列两个方程来计算： 其中：PCHS?=高侧(HS)?MOSFET?传导损耗；PCLS=低侧(LS)?MOSFET?传导损耗；Δ?=占 空周期?≈?Vout/?Vin；Iload?=?负载电流；Rdson?=?MOSFET?开电阻；Vin?=?电源输入电压； Vout?=输出电压。因为?Δ?and?Iload?由应用来决定，Rdson?必须选择为尽可能地小。 图?1：简化的同步升压转换器显示了?MOSFET?的寄生电感。 动态损耗 动态损耗是由?HS?和?LS MOSFET?开关造成的损耗，这些损耗可以通过下列两个方程来计 算： 其中：PDHS?=?HS?MOSFET?动态损耗；PDLS?=?LS?MOSFET?动态损耗；tr?=?上升时间；tf =?下降时间；fs?=?DC-DC?转换器开关频率；Vd?=?体二极管开电压； 其它参数与上述参数一致。显然，我们需要把?MOSFET?的上升和下降时间最小化。这两个 参数取决于于米勒电容，它通常由门极-漏极间电荷(Qgd)来表示，其中，Qgd?越低，就会 导致?MOSFET?的开关速度越快。 LS?MOSFET?中的开关损耗与传导损耗相比宁可忽略不计，?因为?Vin?为?12V?而?Vd?大约为 1V。 在这种情形下，对?HS?MOSFET?我们必须选择具有尽可能最低的?Qgd。通过隔离?Rdson?做 不到这一点，因为它们每一个都取决于裸片的面积。大多?MOSFET?制造商设计?MOSFET 器件时满足了?HS?或?LS?MOSFET?的要求，但是，实际上打击了开关速度和?MOSFET?开电 阻之间的折衷要求，即?Qgd?和低的?Rdson。 图?2：HS?MOSFET?功率损耗，Z?轴是?X?轴电流和?Y?轴开关频率的函数。 图?2?所示为?HS?MOSFET?的功率损耗。显然，大电流和高频率的组合会快速导致高损耗。 对?MOSFET?的正确选择是从根本上关注整体的高电源转换效率(ζ)和高可靠性。 反向恢复损耗 另外一种损耗机制是因为体二极管恢复造成的损耗。这是由于?HS?MOSFET?使“打开”状 态进入体二极管所致。体二极管要无限长时间才能关闭，在这段时间?HS?MOSFET?就会出 现损耗。反向恢复损耗可以由下列方程计算： 其中：Qrr=反向恢复电荷。 此外，这种损耗机制依赖于开关频率?fs，因为它是某种形式的开关损耗。尽管反向恢复因 LS?MOSFET?体二极管所致，损耗却发生在?HS?MOSFET?中。 在此，对?LS?MOSFET?的选择准则是获得尽可能最低的?Qrr?及合适的?Rdson。 图?3：因反向恢复造成的功率损耗。 击穿损耗 当?LS?MOSFET?由门极驱动器关闭而?HS?MOSFET?正被打开时，就会遇到击穿损耗。在转 换期间，门极-漏极间电容通过由?Cgd?和?Rg//Cgs?组成的潜在的分压器把漏极电压耦合到门 极。如果这个耦合电压大于门限电压?Vgth，那么，LS MOSFET?将为打开，从而产生一条 流过?HS?和?LS MOSFET?的低阻的电流通路，最终造成过度损耗。支配相对于地的门极电 压的方程如下