双极晶体管的单管结构及工作原理.pptxVIP

EBCN+pn双极晶体管的单管结构及工作原理双极器件：两种载流子（电子和空穴）同时参与导电集电极发射极发射结收集结发射区N+基区P集电区 N基极结构特点：1. 发射区掺杂浓度最大，基区次之，集电极最小 2.基区宽度很窄电子流空穴流CENPNB当发射结正偏（VBE0)，集电结反偏（VBC0)时，为正向工作区。共基极短路电流增益Ie=Ic+Ib共射极短路电流增益令则正向工作区发射结正偏，发射极发射电子，在基区中扩散前进，大部分被集电极反偏结收集：(接近于1）具有电流放大作用： CENPNB当发射结正偏（VBE0)，集电结也正偏（VBC0)时(但注意，VCE仍大于0)，为饱和工作区。1. 发射结正偏，向基区注入电子，集电结也正偏，也向基区注入电子（远小于发射区注入的电子浓度），基区电荷明显增加（存在少子存储效应），从发射极到集电极仍存在电子扩散电流，但明显下降。2.不再存在象正向工作区一样的电流放大作用，即 不再成立。3. 对应饱和条件的VCE值，称为饱和电压VCES，其值约为0.3V，深饱和时VCES达0.1～0.2V。 当发射结反偏（VBE0),集电结也反偏（VBC0)时，为截止区。当VBC0 ， VBE0时，为反向工作区。工作原理类似于正向工作区，但是由于集电区的掺杂浓度低，因此其发射效率低，很小（约0.02）。ECNPNB反向工作区共发射极的直流特性曲线三个区域：饱和区放大区截止区P-SiN-SiII(mA)VISOV正方向2.2 理想本征集成双极晶体管的EM模型 一结两层二极管(单结晶体管)热电压. T=300K,约为26mvA:结面积, D:扩散系数,L:扩散长度,pn0,np0:平衡少子寿命-+VD-+反向偏置二极管的等效电路模型正向偏置BIBICIENPNECIDCIDEV1V2 两结三层三极管(双结晶体管)假设p区很宽，忽略两个PN结的相互作用，则：理想本征集成双极晶体管的EM模型实际双极晶体管的结构由两个相距很近的PN结组成：集电极发射极发射结收集结发射区基区集电区基极基区宽度远远小于少子扩散长度，相邻PN结之间存在着相互作用BIBICIENPNECI1I2V1V2 两结三层三极管(双结晶体管)NPN管反向运用时共基极短路电流增益NPN管正向运用时共基极短路电流增益理想本征集成双极晶体管的EM模型BJT的三种组态 三结四层结构(多结晶体管)SISpI3V3nI2ICCV2pIBBI1V1nIEE理想本征集成双极晶体管的EM模型 三结四层结构(多结晶体管)SISpI3V3nI2ICC根据基尔霍夫定律，有：V2pIBI1V1nIEE理想本征集成双极晶体管的EM模型 三结四层结构(多结晶体管)理想本征集成双极晶体管的EM模型理想本征集成双极晶体管的EM模型SVBCISpI3V3(正偏)反向工作区饱和区nI2ICCV2VBEpIBE(n+)I1V1n(正偏)(反偏)B(p)npnIE截止区正向工作区(反偏)pnpC(n)ES(p)§2.3 集成双极晶体管的有源寄生效应 双极晶体管的四种工作状态VBC(正偏)饱和区反向工作区(正偏)(反偏)VBE(反偏)截止区正向工作区E(n+)VBC0B(p)npnpnpC(n)npn管S(p) NPN管工作于正向工作区和截止区的情况VEB_pnp0VS=0VCB_pnp0正向工作区和截止区截止pnp管寄生晶体管的影响可以忽略集成双极晶体管的有源寄生效应VBC(正偏)饱和区反向工作区(正偏)(反偏)VBE(反偏)截止区正向工作区E(n+)VBC0VEB_pnp=VBC_npn0VBE0VS=0VCB_pnp0B(p)npnpnpC(n)npn管pnp管S(p) NPN管工作于反向工作区的情况反向工作区正向工作区寄生晶体管对电路产生影响集成双极晶体管的有源寄生效应 NPN管工作于反向工作区的情况几个假设:晶体管参数EM模型简化集成双极晶体管的有源寄生效应 NPN管工作于反向工作区的EM方程(VBE(V1)0,VBC(V2)0)集成双极晶体管的有源寄生效应 NPN管工作于反向工作区的EM方程减小了集电极电流作为无用电流流入衬底采用埋层和掺金工艺集成双极晶体管的有源寄生效应VBC(正偏)饱和区反向工作区(正偏)(反偏)VBE(反偏)截止区正向工作区E(n+)VBC0VEB_pnp=VBC_npn0VBE0B(p)VS=0npnVCB_pnp0饱和工作区pnpC(n)pnp管npn管S(p) NPN管工作于饱和工作区的情况正向工作区寄生晶体管对电路产生影响集成双极晶体管的有源寄生效应 NPN管工作于饱和工作区的EM方程集成双极晶体管的有源寄生效应§2.4 集成双极晶体管的无源寄生效应BCEN+N+P+P+PN-epiN+-BLrE,crE,bE 发射极串联电阻rESrES=rE,c+ r