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铸锭多晶硅的工艺流程 铸锭多晶硅工艺和直拉单晶工艺都属于定向凝固过程，不 过后者不需要籽晶。当硅料完全融化后，缓慢下降坩埚， 通过热交换台进行热量交换，使硅熔液形成垂直的，上高 下低的温度梯度，保证垂直方向散热，此温度梯度会使硅 在锅底产生很多自发晶核，自下而上的结晶，同时要求固 液界面水平，这些自发晶核开始长大，由下而上地生长， 直到整锅熔体结晶完毕，定向凝固就完成了，当所有的硅 都固化之后，铸块再经过退火，冷却等步骤最终生产出高 质量的铸锭。冷却到规定温度后，开炉出锭。 铸锭多晶硅的优缺点 相对于直拉单晶来说，铸锭多晶硅有如下优点 1、备制造简单，容易实现全自动控制。 2、料比较广泛，可以利用直拉头尾料、集成电路的废片以及粒 状硅料等，当然要将原工艺过程中的污染经过喷砂，腐蚀等手 段清洗干净。 3、料量大，产量高，适合大规模生产。 4?、片大小可以随意选取?i，例如?690MM?的方锭可以切成 125MM?的方锭?25?个，也可切成?156MM?的方锭?16?个等。铸锭 溶晶生产大尺寸方片，但直拉法就难一些。 点晶体的熔 时达到?1600 以上，采用“ 时达到?1600 以上，采用“等静压成型法”（CIP）生产的高纯石墨c 一个温度值，尽管继续加热，温度却始终保持不变，这个温度 就是晶体的熔点。 单晶硅的导热性与方向有关。 多晶硅片上有很多的晶粒，晶粒之间有明显的晶界，由于晶向 各不相同，呈现出深浅不同的色差。 直拉单晶炉的热系统及热场 1、热系统 直拉单晶炉的热系统是指为了融化硅料，并保持在一定温度下 进行单晶生长的整个系统，它包括加热器、保温罩、保温盖、托碗 （石墨坩埚）、电极等部件，它们是由耐高温的高纯石墨和碳毡材料 加工而成的。 加热系统长期使用在高温下，所以要求石墨材质结构均匀致密、 坚固、耐用，变形小，无空洞，气孔率???24%，无裂纹，弯曲强度 40~60Mpa,颗粒度?0.02~0.05mm,体积密度?1.70~1.80g/?cm3?,灰分???1?? 10?4?（100ppm)，金属杂质含量少，一般检测值在10?4?%~10?6?%数量级。 加热器是热系统中最重要的部件，是直接的发热体，温度最高 。 加工制作，形状为直筒式，每个半圆筒各为一组，纵向开缝分瓣， 形成串联电阻：两组并联后形成串并联回路。 两组加在一起的总瓣膜数为?4?的整倍数，常用的有?16、20、24 活?28?瓣等。 石墨托碗分为上体和下体，上体又有单瓣（既只开一条缝）、两 瓣合体（平分为二、两条缝）及三瓣合体（等分三条缝）的区别； 石墨托碗是用来盛装石英坩埚的，它的内径加工尺寸要和石英 坩埚的外形尺寸相配合，同时，石墨托碗本身必须具有一定的强度， 来承受硅料及坩埚的重量。硅料熔化完以后，石英坩埚的高度应该 高于石墨托碗的高度（10~20mm)如果石英坩埚低于石墨托碗，容易 造成掉渣影响成晶率。 托杆以及托座共同组成了托碗的支撑体，要求和下轴结合牢固， 对中性良好，在下轴转动时，托杆及托座偏摆度???0.5mm，托座可以 用一个或者两个以上的部件组成，部件数的增减可以调节托碗支撑 体的高度，以保证熔料时有合适的低埚位，拉晶时，有足够的埚升 随动行程， 保温罩由保温罩内筒、外筒、面板及支撑环（托盘）组成，内、 外筒之间整齐的包裹着石墨毡。托盘放置应平稳，不得径向窜动， 也不得转动，同时保证保温罩内壁、外壁垂直并队中。 保温盖一般由两层环状石墨板之间夹一层石墨毡组成，内径的 大小与加热器内径相同，平稳的放在保温罩面板上。 下保温筒，下保温谈毡组成了托碗的底部保温系统，他的作用 目前国内系统从 ~ 居多。? 目前国内系统从 ~ 居多。?12? 22 硅料渗出烧坏部件，对埚底、金属电极、抽气口以及托杆都设置了 保护套。 石墨电极的作用，一是平稳地支撑加热器，二是通过它对加热 器加热，因此要求电极厚重，结实耐用，它与金属电极和加热器的 接触面要平滑、平稳，保证接触良好，通电时不打火。 加热器、电极、托碗要求用细结构石墨加工，为了降低成本， 其他部件也可用粗结构高纯石墨。结构疏松气孔多的不能用。 现在出现了一种新型保温材料，称为碳/碳复合材料，可以根据 用户需要加工成型保温桶，从而代替石墨毡，保温性能好，耐高温， 不产生纤维、强度大、重量轻，安装方便。 热场有大有小，它是按照所用的石英坩埚的直径大小来划分的， 3.2?热系统的安装与对中 热系统，特别是新系统在安装前，应仔细擦抹干净，去除表面 浮尘，顺便检查部件质量，整个炉室在进行热系统安装前也要清擦 完毕。安装顺序一般是由下而上，由内到外。石墨电极分左右两只， 安装时，左右对齐，处在同一水平面上，不可倾斜，同时要和托杆 对中。放上加热器后，加热器的电极孔和下面电极板的两孔应能对 准。如果相差较大，