半导体工艺半导体制造工艺试题库1 答案.doc

－ 学年第 学期　半导体制造工艺　　课程期试题库1 答案 班级 　　　姓名 　　　　学号 　 　　　成绩　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　装　　　　　　　　　　　　　订　　　　　　　　　　　　线　　　　　　　　　　　　　　　　　 项目 一 二 三 四 五 总分 满分 100 得分 一、填空题（每空1分，计31分） 1、工艺上用于四氯化硅的提纯方法有 吸附法 和 精馏法 。 2、在晶片表面图形形成过程中，一般通过腐蚀的方法将抗蚀膜图形转移到晶片上，腐蚀的方法有 湿法腐蚀 和 干法腐蚀 。 3、直拉法制备单晶硅的过程是：清洁处理——装炉——加热融化——拉晶，其中拉晶是最主要的工序，拉晶包括 下种 、 缩颈 、放肩、 等径生长 和收尾拉光等过程。 3、抛光是晶片表面主要的精细加工过程，抛光的主要方式有 化学抛光 、 机械抛光 和 化学机械抛光 。 4、掺杂技术包括有 热扩散 、 离子注入 、合金和中子嬗变等多种方法。 5、晶片中的锂、钠、钾等碱金属杂质，通常以 间隙式 （空位式或间隙式）扩散方式在晶片内部扩散，并且这类杂质通常称为 快扩散 （快扩散或慢扩散）杂质。 6、在有限表面源扩散中，其扩散后的杂质浓度分布函数符合 高斯分布函数 ； 而在恒定表面源扩散中，其扩散后的杂质浓度分布函数符合 余误差分布函数 。 7、在离子注入法的掺杂过程中，注入离子在非晶靶中的浓度分布函数满足对称的高斯分布，其浓度最大位于 RP 处。 8、在离子注入后，通常采用退火措施，可以消除由注入所产生的晶格损伤，常用的退火方式有 电子束退火 、 离子束退火 、 激光退火 。 9、根据分凝现象，若K0＞1，则分凝后杂质集中在 尾部 （头部或尾部）；若K0＜1，则杂质分凝后集中在 头部 （同上）。 10、把硅片置于氯化氢和氧气的混合气体中进行的氧化，称为 掺氯氧化 。 11、在二氧化硅的热氧化方法中，氧化速度最快的是 干氧氧化 方法。 12、氢氧合成氧化设备中，两个重要的保险装置是 氢气流量保险装置 和 温度保险装置 。 13、工艺中常用的测量二氧化硅厚度的方法有 比色法 和 椭圆偏振光法 。 14、固态源硼扩散中常用的硼源是 氮化硼 ，常用的液态磷源是 三氯氧磷 。 15、箱法扩散在工艺中重要用来进行TTL电路 隐埋层 的锑扩散。 二、选择题（每题2分，单项多项均有，计12分） 在SiO2网络中，如果掺入了磷元素，能使网络结构变得更（ A ） （A）疏松 （B）紧密 （C）视磷元素剂量而言 在微电子加工环境中，进入洁净区的工作人员必须注意以下事项（A、B、C、D ） 进入洁净区要先穿戴好专用净化工作服、鞋、帽。 进入洁净区前先在风淋室风淋30秒，然后才能进入。 每周洗工作服，洗澡、理发、剪指甲，不用化妆品。 与工作无关的纸张、书报等杂物不得带入。 3、离子注入设备的组成部分有（A、B、C、D ） （A）离子源 （B）质量分析器 （C）扫描器 （D）电子蔟射器 4、CVD淀积法的特点有（A、C、D ） （A）淀积温度比较低 （B）吸附不会影响淀积速度 （C）淀积材料可以直接淀积在单晶基片上 （D）样品本身不参与化学反应 工艺中消除沟道效应的措施有（A、B、C、D ） （A）增大注入剂量 （B）增大注入速度 （C）增加靶温 （D）通过淀积膜注入 6、液态源硼扩散所选用的硼源有（A、B、C） （A）硼酸三甲脂 （B）硼酸三丙脂 （C）三溴化硼 （D）三氯氧磷 三、判断（每题1分，计10分） 1、Ⅰ号液是碱性过氧化氢清洗液。 （ R ） 2、筛选器是用来去除杂质离子的设备。 （ R ） 3、石墨基座的清洁处理，首先用王水煮沸，再用去离子水冲洗。 （ R ） 4、注入窗口中淀积的二氧化硅薄层是起退沟道的作用。 （ R ） 5、以一般能量注入的重离子，在进入靶片中，以电子阻挡为主。 （ F ） 6、硅烷热分解法淀积中，一旦源变成黄色就不能使用。 （ R ） 7、在二氧化硅氧化膜中，可动钠离子含量要求越高越好。 （ F ） 8、二