第一章电磁场的基本规律.pptVIP

S 对闭合曲面，规定法线 的方向指向曲面外部，则通过整个闭合曲面 S 的电通量 对于非闭合任意曲面： 物理学及电子信息工程系 §1.4 高斯定理 电场从曲面内部穿出 电场穿入曲面内部 是矢量, 是点函数，但通量是标量非点函数 S 也就是净穿出闭合曲面的电通量 物理学及电子信息工程系 §1.4 高斯定理 通过电场中任一闭合曲面S的电通量等于该闭合曲面所包围的所有电荷电量的代数和除以 ，而与闭合面S外的电荷无关。即： 三、高斯定理表述 闭合曲面 S 通常称为高斯面。 §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 （1）立体角：球面上一个面元的边缘与球心的连线构成的锥体 四、高斯定理的证明 立体角与球半径无关 球面对球心所张的立体角为: §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 （2）. 证明 ①闭合曲面包围一个点电荷 §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 ②高斯面不包围电荷 §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 ③空间n个点电荷 ，闭曲面包围K个点电荷 q1 qK qn §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 ④空间存在连续分布电荷q （V—高斯面包围的体积。） §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 三、对高斯定理的理解 （1）闭合曲面上各点的场强是闭合面内、外全部电荷共同产生的合场强，不仅仅是闭合面内电荷所产生。 （2）高斯定理表明通过闭合曲面的电通量与闭合曲面所包围的电荷之间的量值关系，并非闭合曲面上的电场强度与闭合面包围的电荷之间的关系。高斯定理是静电场基本定理之一，反映了静电场是有源场。 §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 （3）通过闭合曲面的总电通量只由它所包围的电荷所决定。闭合面外的电荷对总通量无贡献。 （4）若闭合曲面内存在正（负）电荷，则通过闭合曲面的电通量为正（负），表明有电场从面内（面外）穿出（穿入）。 （5）若闭合曲面内没有电荷，则通过闭合曲面的电通量为零，意味着有多少电场线穿入就有多少电场线穿出，说明在没有电荷的区域内电场线不会中断。 §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 （6）高斯定理与库仑定律并不是互相独立的规律，而是用不同形式表示的电场与源电荷关系的同一客观规律 库仑定律把场强和电荷直接联系起来， 高斯定理将场强的通量和某一区域内的电荷联系在一起 库仑定律只适用于静电场，而高斯定理不仅适用于静电场，也适用于变化的电场。 §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 四、应用高斯定理求场强 利用高斯定理，可简便地求得具有对称性的带电体场源（如均匀带电球、无限长带电圆柱体、无限大带电平板等）的空间场强分布。计算的关键在于依据对称性选取合适的闭合曲面（高斯面），以便能够把积分进行下去，最终求得电场强度。 §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 五、高斯定理应用举例 例题1：求无限大均匀带电平面的场强分布，已知面电荷密度为σ。 解：由电荷分布对称性可知，与带电面等距离处的场强大小均相等，方向垂直平面。 +σ +σ §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 取高斯面为柱面，其 +σ S S1 S2 侧面：与带电平面垂直 底面： S1 和 S2与带电面 平行且等距离 §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 +σ S S1 S2 §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 例题2：已知半径为 R ，带电量为 q 的均匀带电球面，求空间场强分布。 解：由对称性分析知， 的分布为球对称，即离开球心距离为 r 处各点的场强大小相等，方向沿各自的矢径方向。 以 O 为球心，过 P 点作半径为 r 的闭合球面 S（高斯面），任意面元的法线方向与该点的电场强度方向相同。 §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 r ? R 时,在球外作同心球形向斯面 考虑到方向,写成矢量式 §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 r R 时,在球内作同心球形高斯面 内部场强处处为零；外部场强分布与将球面上电荷集中于球心的点电荷场强分布相同；场强分布在球面处不连续，产生突变。 E ? r 曲线 §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 作业： P40： 1.4.4 1.4.6 1.4.7 §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 例题3：求无限长均匀带电直线在空间的电场分布。已知直线上线电荷密度为λ。 解：由对称性分析， 分布为轴对称性，即与带电直线距离相等的同轴圆柱面上各点场强大小相等，方向均沿径向。 作过 P 点以带电直线为轴，半径为 r，高为 L的圆柱形高斯面 S 。 §1.4 高斯定理 物理学及电子信息工程系 通过 S 的电通量为 §1.4