二极管三极管解析.pptxVIP

半导体器件1 半导体的基础知识，P型硅，N型硅2 PN结及半导体二极管3特殊二极管4半导体三极管5场效应管GeSi硅原子锗原子§1 半导体的基本知识1.1 本征半导体现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。化学元素周期表通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。在硅和锗晶体中，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。+4+4+4+4硅和锗的共价键结构共价键共用电子对+4表示除去价电子后的原子+4+4+4+4形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。1.2杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。载流子：电子，空穴N型半导体（主要载流子为电子，电子半导体）P型半导体（主要载流子为空穴，空穴半导体）N型半导体硅或锗 +少量磷? N型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相临的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。SiSiSiPN型硅表示+N型半导体硅原子多余电子磷原子P型半导体硅或锗 +少量硼? P型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相临的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。BSiSiSiP型硅表示P型半导体硅原子空穴硼原子空穴被认为带一个单位的正电荷，并且可以移动N型半导体P型半导体++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－杂质半导体的示意表示法§2 PN结及半导体二极管2.1 PN 结的形成在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。漂移运动内电场E++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－扩散运动空间电荷区，也称耗尽层。 在半导体中由于浓度差别，多数载流子（多子）从浓度高向浓度低的区域移动，称扩散运动；形成扩散电流。内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。N型半导体P型半导体少数载流子（少子）在内电场作用下，有规则的运动称为漂移运动；形成漂移电流。扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。漂移运动N型半导体P型半导体内电场E++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－扩散运动所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。电位VV0空间电荷区N型区P型区++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－注意:1.空间电荷区中没有载流子。2.空间电荷区中内电场阻碍P 区中的空穴，N 区中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。3.P 区中的电子和N 区中的空穴（都是少子），数量有限，因此由它们形成的电流很小。（漂移运动）正向电流空间电荷区变薄_+NP内电场外电场++++－－－－RE 2. PN结的单向导电性PN 结正向偏置的意思是： P 区加正、N 区加负电压。 只允许一个方向的电流通过。一、PN 结正向偏置内电场被削弱，扩散?飘移，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流(正向电流）。PN 结处于导通状态形成正向电流，称正向导通。空间电荷区变厚内电场外电场++++－－－－PN 结反向偏置的意思是： P 区加负、N 区加正电压。 二、PN 结反向偏置PN 结处于截止状态内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。_+PN反向电流反向电流极小，称反向截止。REP符号阳极PNN阴极2.3 半导体二极管(1)基本结构PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。UII-+EU反向漏电流（很小，?A级）死区电压 硅管0.5V,锗管0.2V。(2)伏安特性反向击穿电压U(BR)导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。二极管主要参数最大整流电流