半导体工艺（第5章1）化学气相淀积.pptVIP

学习情景三 常州信息职业技术学院 学习情景三：薄膜制备子情景2：化学气相淀积（CVD） 在工艺中，除了广泛采用的二氧化硅薄膜以外，还大量应用其他薄膜。 二氧化硅缺点： （1）二氧化硅钝化效果并非最优良； （2） SiO2-Si系统中存在一些带正电的杂质和缺陷。如：固定电荷（氧空位）、钠离子、正的辐照电离缺陷等； 性能优良的薄膜： （1）氮化硅 （2）氧化铝 （3）半绝缘多晶硅 （4）非晶硅 （5）PSG （6）难熔金属膜 ………………. 一、化学气相淀积定义： 使一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。其英文原名为 “Chemical Vapour Deposition”，简称为 “CVD”。 主要特点：衬底材料不需要参与化学反应！ 二、化学气相淀积种类 （1）按温度分 低温：200~500℃ 中温：500~1000℃ 高温：1000~1300℃ （2）按压力分 常压CVD：一个标准大气压 低压CVD：30~250Pa （3）按反应器温度分 冷壁和热壁 目前主要按反应激活方式来分： 热激活、等离子体激活、光量子激活 下表显示CVD形成膜时所利用的化学反应及其在IC中的应用。 CVD工艺特点 CVD成膜温度远低于体材料的熔点或软点。（减轻了衬底片的热形变，减少了玷污，抑制了缺陷生成）； 设备简单，重复性好； 薄膜的成分精确可控、配比范围大； 淀积速率一般高于PVD（物理气相淀积，如蒸发、溅射等）；厚度范围广，由几百埃至数毫米。且能大量生产； 淀积膜结构完整、致密，与衬底粘附性好； 化学淀积方法及设备简介 化学淀积方法 常压化学气相淀积（APCVD） 低压化学气相淀积（LPCVD） 等离子化学气相淀积（PECVD） 常压化学气相淀积 特点:用于SiO2的淀积 SiH4+O2=SiO2 +H2O ?100mm：10片，?125mm:8片 Time:15min Temp:380~450℃?6℃ 厚度均匀： ?5％ 低压化学气相淀积 为了使反应能在低压条件下进行，设备中有一套真空系统； 淀积时，片子垂直放置，这样可以扩大装片量； 过程：装片后，把反应器抽气到10-1Pa，通入气体后，压强到50Pa左右； 淀积时间为5min，淀积完毕后关闭所有气体，再抽气到10-1Pa，最后用氮气快速充到大气压强； LPCVD主要用于多晶硅和氮化硅膜的淀积； 等离子体增强淀积（PECVD） 原理： 在低压气体上施加一个高频电场，使气体电离，产生由电子、受激分子和原子构成的等离子体（带电电荷）； 在电场作用下，不断旋转和运动，使得反应气体电离或被激活成性质十分活泼的活性基团； 通常需要在高温下才能实现的许多反应，对于PECVD来说，在低温下就能实现； 如： LPCVD淀积SiH4，需要在750~900℃才能生长； PECVD在200~300 ℃就能生长出质量较好的薄膜； 特点： 温度低（200~350℃），适用于布线或隔离； Si3N4：SiH2Cl2 +NH3 PSG：SiH4 +PH3 +O2 典型物质淀积简介 二氧化硅（SiO2）薄膜 非掺杂SiO2: 用于离子注入或扩散的掩蔽膜，多层金属化层之间的绝缘，MOS管场区氧化层； 掺杂SiO2: 用于器件钝化，磷硅玻璃回流，掺杂扩散源,与非掺杂SiO2结合作为多层金属化层之间的绝缘层； 淀积SiO2的方法 低压化学气相淀积(LPCVD) ： 500℃ 硅烷和氧反应：（钝化层SiO2） SiH4+O2 SiO2 +2H2 4PH3+5O2 2P2O5 +6H2 温度、压力、反应剂浓度、掺杂及反应腔形状都影响淀积速度； 400℃ 400℃ 正硅酸乙脂（TEOS）分解 Si（OC2H5）4 SiO2 +副产品 结构不如热氧化二氧化硅膜致密； 在淀积后通过致密（增密）处理，可使得其质量得到改善； 增密工艺： 真空淀积后进行，将炉温升到550-900℃，经过30min热处理； 在干氮气或氧气中继续加热一段时间； 650～750℃ 生长硼磷硅玻璃BPSG 加入磷烷PH3，生长磷硅玻璃PSG 加入乙硼烷B2H6，生长硼硅玻璃BSG 掺杂P含量：5～15％（三氯氧磷） 回流P含量：2～8％钝化膜 磷含量过高：腐蚀铝，吸附水汽； 磷含量过低：太硬，台阶覆盖不好； PSG及BPSG PSG膜具有吸收和阻挡钠离子的能力，在集成电路制造中作为钝化膜，而且应用很广泛； 其台阶覆盖性太差，为了得到均匀的台阶覆盖，往往用1100℃高温进行处理使之软化（又称回流），获得平坦台阶； 高温处理容易引起杂质浓度再扩散和硅片的形变（增加膜中磷的含量，可以降低回流温度，但磷