半导体工艺（第6章）金属化（物理气相淀积）.pptVIP

难以淀积合金材料 由于合金是两种金属材料组成，而两种金属就会有两种不同的熔点，这使得利用蒸发使合金材料按原合金比例淀积到硅片上是不可能的； 溅射 概念： 利用等离子体中的离子，对被溅镀物体（粒子靶）进行轰击，使气相等离子体内具有被溅镀物体的粒子，这些粒子淀积到硅晶片上形成溅射薄膜； 溅射优点： 可在一个面积很大的靶上进行，这样解决了大尺寸硅片淀积铝膜厚度均匀性的问题； 在选定工作条件下，膜厚较容易控制，只要调节时间就可以得到所需要厚度； 溅射淀积薄膜的合金成分要比用蒸发容易控制； 溅射工作原理： 产生离子并导向一个靶； 离子把靶表面上的原子轰击出来； 被轰击出的原子向硅片运动； 在硅片表面这些原子凝成薄膜； 溅射示意图 辉光放电 轰击靶材料的高能粒子是辉光放电产生的； 原理：一根玻璃管中充满了压力为1Torr的氩气，两个电极之间的距离为15cm，电压为1.5kv，在玻璃管中引入一个电子，这个电子在两个电极间的电场中加速，这个自由电子有可能碰撞氩原子，把氩原子中的电子激发出来，激发出来的电子就是轰击源材料的轰击源； 溅射方式： 直流溅射（无法溅射绝缘材料，少用） 射频（RF）溅射（可溅射绝缘材料） 磁控溅射 溅射优势（与蒸发相比） 适合于淀积合金，而且具有保持复杂合金成分的能力； 能获得良好的台阶覆盖（蒸发来自于点源，而溅射来自平面源并且可以从各个角度覆盖硅片表面，通过旋转和加热硅片，台阶覆盖还可以得到进一步提高）； 形成的薄膜与硅片的黏附性比蒸发工艺好； 能够淀积难容金属； 铜（Cu）制备 CVD淀积铜 电镀铜（Cu Ecp） Cu淀积，需要在制备铜互连之前，CVD一层薄Cu种子层； CVD方式用于淀积Cu布线种子层；电镀铜工艺用于同互连线制备； 铜电镀（Cu Ecp） ECP是工业上传统的镀膜工艺之一，电镀工艺存在较大污染和难以控制的工艺过程，在半导体工艺中一直未得到采用； 直到铜互连技术的被采用； 铜电镀工艺优点： 成本低 工艺简单 无需真空支持 淀积速率易提高 学习情景三 常州信息职业技术学院 学习情景三：薄膜制备子情景4：物理气相淀积 物理气相淀积 概念：物理气相淀积，简称PVD。它是以物理方式进行薄膜淀积的一种方式； 用途：集成电路中的金属薄膜一般都采用物理气相淀积方式制备； 方式：蒸发（蒸镀）和溅射（溅镀）； 蒸发：通过加热被蒸镀物体，利用被蒸镀物体在高温时（接近其熔点）的饱和蒸汽压，进行薄膜淀积，又称热丝蒸发； 溅射：利用等离子体中的离子，对被溅镀物体（粒子靶）进行轰击，使气相等离子体内具有被溅镀物体的粒子，这些粒子淀积到硅晶片上形成溅射薄膜； 溅射系统示意图 热丝蒸发 分类：真空钨丝蒸发和电子束蒸发 真空钨丝蒸发 真空知识 1标准大气压=760mmHg=760Torr 1mmHg=1Torr=133Pa 粗真空：760~10Torr 低真空：10~10-3Torr 中真空：10-3~10-5Torr 高真空：10-5~10-8Torr 超高真空：10-8Torr以上 源材料 蒸发的目的是为了形成良好的欧姆接触、管芯内部互联以及引出电极引线。为了达到这个目的，所选用的源材料必须满足以下几个条件： 有良好的导电性能； 容易与硅形成良好的欧姆接触； 便于键合和引出金属线； 适合用蒸发工艺； 与二氧化硅粘附性好； 没有毒害； 便于光刻； 价格便宜； 在半导体器件和集成电路制造中，选用铝材料作为蒸发源； 原因：铝和P型和N型硅都能形成低电阻的欧姆接触，而且对二氧化硅附着力强，易于蒸发和光刻，导电能力强，价格便宜； 除此之外，也用金、镍铬、铅等； 真空设备 机械泵 又称真空旋转泵，用来获得低真空的一种抽气设备； 能从一个大气压开始抽气，真空度可达10-3Torr； 机械泵结构示意图 油泵扩散 原理：当机械泵抽气达到10-2Torr以后，再要抽气，就要用到油扩散泵了（它的起始点必须在10-2Torr）； 工作时用电炉加热扩散泵油，使之沸腾，产生大量油蒸汽； 油蒸汽通过各级喷嘴以较高的速率喷射出来。系统中的气体分子不断作扩散运动，一旦与油蒸汽分子相撞，就被油蒸汽分子带走。因为油蒸汽分子的质量大，并且作定向运动，所以气体分子就会被油蒸汽分子带到前方； 蒸发设备 真空蒸发设备又叫真空镀膜机； 组成部分：真空镀膜室、抽气系统、测量系统； 真空镀膜室：钟罩、蒸发源加热器、衬底加热器； 蒸发源加热器一般采用钨丝绕制而成； 蒸发系统示意图 加热材料应满足： 要与蒸发材料的熔液有良好的浸润性，即被蒸发材料熔化后能很好的粘在上面而不掉下来； 熔点必须高于蒸发金属的熔点，以免在蒸发时，加热器本身熔化； 可加工成各种形状，并能重复使用，与蒸发金属间的互熔度必须很小，以免造成蒸发膜玷污或合金化； 大多采用钨丝作为加热材