半导体工艺（第4章）氧化.ppt

常州信息职业技术学院 学习情景三 学习情景三：薄膜制备学习子情景1：热氧化 用途 （？种） 二. 氧化方法（？种） 三. 质量监测（？检测哪些） 二氧化硅膜用途 五种用途 杂质扩散掩蔽膜 器件表面保护或钝化膜 电路隔离介质或绝缘介质 电容介质材料 MOS管的绝缘栅材料 二氧化硅膜的性质 1.二氧化硅膜的化学稳定性极高，不溶于水，除氢氟酸外，和别的酸不起作用。氢氟酸腐蚀原理如下： 六氟硅酸溶于水； 利用这一性质作为掩蔽膜，光刻出IC 制造中的各种窗口； 2. 二氧化硅膜的掩蔽性质 B、P、As等杂质在SiO2的扩散系数远小于在Si中的扩散系数。Dsi DSiO2 SiO2 膜要有足够的厚度。一定的杂质扩散时间、扩散温度下，有一最小厚度Zmin。 3. 二氧化硅膜的绝缘性质 密度、折射率、电阻率、介电强度（热击穿、电击穿）、介电常数； 密度是二氧化硅致密程度的标志。密度大表示致密程度高。用不同制备方法所得的膜层的密度是不一样的，但都很接近。 折射率表示二氧化硅光学特性的参数。密度大的二氧化硅具有较大的折射率。 电阻率： 表征二氧化硅电学性能的重要参数； 用不同方法制备的二氧化硅膜层电阻率相差较大；用热生长法其电阻率为1015~1016Ω.cm，这表明二氧化硅是一种良好的绝缘材料；用热分解淀积方法其电阻率为107~108Ω.cm，这表明二氧化硅中含有较多的杂质。 介电强度： 衡量该材料耐压能力大小 单位：V/cm 意义：表示单位厚度的二氧化硅层所能承受的最大击穿电压。 影响因素：密度、均匀性、杂质含量、制备方法等。一般为107~108V/cm。 三、氧化方法 1、热氧化机理 半导体工艺中的二氧化硅大多数是通过热生长氧化法得到的，也就是让硅片（晶圆）在高温下，与氧化剂发生反应而生长一层SiO2膜的方法，其化学反应式如下： Si(固态)+O2(气态) SiO2(固态) 化学反应非常简单，但氧化机理并非如此，因为一旦在硅表面有二氧化硅生成，它将阻挡O2原子与Si原子直接接触，所以其后的继续氧化是O2原子通过扩散穿过已生成的二氧化硅层，向Si一侧运动到达界面进行反应而增厚的。 通过一定的理论分析可知，在初始阶段，氧化层厚度(X)与时间(t)是线性关系，而后变成抛物线关系。 （1）干氧氧化 原理：在高温下，氧气与硅片接触，氧分子与其表面的硅原子反应生成二氧化硅起始层。 Si+O2 SiO2 特点：氧化速度慢，氧化层结构致密； 表面是非极性的硅氧烷（Si-O-Si)结构，与光刻胶粘附良好，不易产生浮胶。 （2）水汽氧化 机理：高温下，水汽与硅片表面硅原子作用，生成二氧化硅起始膜。 2H20+Si=SiO2+2H2 后续反应：水分子先与表面的二氧化硅反应生成硅烷醇（Si-OH）结构，即： H20+Si-O-Si 2(Si-OH) 生成的硅烷醇再扩散穿过氧化层抵达Si-SiO2界面，与硅原子反应： 2(Si-OH)+Si-Si 2(Si-O-Si)+H2 水汽氧化特点： 氧化速度快 由于水汽进入，网络中形成大量非侨联氧，结构疏松 氧化层表面是极性的硅烷醇，极易吸附水，导致与光刻胶粘附不强；（解决措施：经过吹干氧或干氮热处理，硅烷醇可分解成硅氧烷结构，并排除水分） 水汽来源：去离子水、氢氧直接燃烧合成。 （3）湿氧氧化 机理：氧气在通入反应室之前，先通过加热的高纯去离子水，使氧气中携带一定量的水汽。 湿氧氧化具有干氧氧化和水汽氧化两种氧化作用。 其速度和质量介于干氧和水汽氧化之间。 常州信息职业技术学院 学习情景三