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广义上,三极管有多种,常见如下图所示。
狭义上,三极管指双极型三极管,是最基础最通用的三极管。
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本文所述的是狭义三极管,它有很多别称:
三极管的发明
晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。
真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。
二战时,军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件,研究成果在二战结束后获得。
早期,由于锗晶体较易获得,主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后,由于硅管生产工艺很高效,锗管逐渐被淘汰。
经半个世纪的发展,三极管种类繁多,形貌各异。
小功率三极管一般为塑料包封;
大功率三极管一般为金属铁壳包封。
三极管核心结构
核心是“PN”结
是两个背对背的PN结
可以是NPN组合,也或以是PNP组合
由于硅NPN型是当下三极管的主流,以下内容主要以硅NPN型三极管为例!
NPN型三极管结构示意图
硅NPN型三极管的制造流程
管芯结构切面图
工艺结构特点:
发射区高掺杂:为了便于发射结发射电子,发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度,且发射结的面积较小;
基区尺度很薄:3~30μm,掺杂浓度低;
集电结面积大:集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体,但集电区的掺杂浓度要低,面积要大,便于收集电子。
三极管不是两个PN结的间单拼凑,两个二极管是组成不了一个三极管的!
工艺结构在半导体产业相当重要,PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构,能制成各样各样的元件,包括IC。
三极管电路符号
三极管电流控制原理示意图
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三极管基本电路
外加电压使发射结正向偏置,集电结反向偏置。
集/基/射电流关系:
IE = IB + IC
IC = β * IB
如果 IB = 0, 那么 IE = IC = 0
三极管特性曲线
输入特性曲线
集-射极电压UCE为某特定值时,基极电流IB与基-射电压UBE的关系曲线。
UBER是三极管启动的临界电压,它会受集射极电压大小的影响,正常工作时,NPN硅管启动电压约为0.6V;
UBEuber时,三极管高绝缘,ubeUBER时,三极管才会启动;/uber时,三极管高绝缘,ube
UCE增大,特性曲线右移,但当UCE1.0V后,特性曲线几乎不再移动。
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输出特性曲线
基极电流IB一定时,集极IC与集-射电压UCE之间的关系曲线,是一组曲线。
当IB=0时, IC→0 ,称为三极管处于截止状态,相当于开关断开;
当IB0时, IB轻微的变化,会在IC上以几十甚至百多倍放大表现出来;
当IB很大时,IC变得很大,不能继续随IB的增大而增大,三极管失去放大功能,表现为开关导通。
三极管核心功能:
放大功能:小电流微量变化,在大电流上放大表现出来。
开关功能:以小电流控制大电流的通断。
三极管的放大功能
IC = β * IB (其中β≈ 10~400 )
例:当基极通电流IB=50μA时,集极电流:
IC=βIB=120*50μA=6000μA
微弱变化的电信号通过三极管放大成波幅度很大的电信号,如下图所示:
所以,三极管放大的是信号波幅,三极管并不能放大系统的能量。
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