半导体制造中常用化学品.docVIP

半导体制造中常用化学品 半导体制造过程中常用的酸 名称 符号 用途 氢氟酸 HF 刻蚀二氧化硅（SiO2）以及清洗石英器皿 盐酸 HCl 湿法清洗化学品，2号标准清洗液的一部分， 用来去除硅中的重金属元素 硫酸 H2SO4 “piranha”溶液（7份H2SO4和3份30%的双氧水）用来清洗硅片 缓冲氧化层蚀刻（BOE） 氢氟酸和氟化铵溶液 HF/ NH4F 刻蚀二氧化硅薄膜（SiO2） 磷酸 H3PO4 刻蚀氮化硅（Si3N4） 硝酸 HNO3 用HF和HNO3的混合溶液来 刻蚀磷硅酸盐玻璃（PSG） 半导体制造过程中常用的碱 名称 符号 用途 氢氧化钠 NaOH 湿法刻蚀 氢氧化铵 NH4OH 清洗剂 氢氧化钾 KOH 正性光刻胶显影剂 氢氧化四甲基铵 TMAH 正性光刻胶显影剂  半导体制造过程中常用的溶剂 名称 符号 用途 去离子水 DI water 广泛用于漂洗硅片和稀释清洗剂 异丙醇 IPA 通用的清洗剂 三氯乙烯 TCE 用于硅片和一般用途的清洗溶剂 丙酮 Acetone 通用的清洗剂（比IPA更强） 二甲苯 Xylene 强的清洗剂，也可以用来去除硅片边缘光刻胶 半导体制造过程中常用的通用气体 性质 名称/符号 用途 惰性 氮气/N2 排出残留在气体配送系统和工艺腔中的湿气和残余气体，有时也作为某些淀积工艺的工艺气体 氩气/Ar 在硅片工艺过程中用在工艺腔体中 氦气/He 工艺腔气体，也用于真空室的漏气检查 还原性 氢气/H2 外延层工艺的运载气体，也用在热氧化工艺中与O2反应生成水蒸气等 氧化性 氧气/O2 工艺腔气体  半导体制造过程中常用的特种气体 性质 名称/符号 用途 氢化物 硅烷/SiH4 气相沉积工艺的硅源 砷化氢/AsH3 n型硅片离子注入的砷源 磷化氢/PH3 n型硅片离子注入的磷源 乙硼烷/B2H6 p型硅片离子注入的硼源 原硅酸四乙酯/ （TEOS）Si（OC2H5）4 气相沉积工艺的二氧化硅源 二氯硅烷/SiH2Cl2 气相沉积工艺的硅源 氟化物 三氟化氮/NF3 等离子刻蚀工艺中的氟离子源 六氟化钨/WF6 金属淀积工艺的钨源 四氟甲烷/CF4 等离子刻蚀工艺中的氟离子源 四氟化硅/SiF4 等离子刻蚀工艺中的氟离子源 酸性气体 三氟化氯/ClF3 工艺腔体清洁气体 三氟化硼BF3 p型硅片离子注入的硼源 氯气/Cl2 金属刻蚀中所用氯的来源 三氯化硼/BCl3 p型硅片离子注入的硼源， 金属刻蚀中所用氯的来源 其他 氯化氢/HCl 工艺腔体清洁气体和去污剂 氨气/NH3 工艺气体用来和SiH2Cl2反应生成淀积用的Si3N4 笑气（一氧化二氮）/N2O 与硅反应生成二氧化硅的氧源 一氧化碳/CO 用在刻蚀工艺中  硅片湿法清洗化学品 沾污 名称 配料 分子式 颗粒 piranha（SPW） 硫酸/过氧化氢/去离子水 H2SO4/H2O2/H2O SC-1（APW） 氢氧化铵/过氧化氢 /去离子水 NH4OH/H2O2/H2O 有机物 SC-1（APW） 氢氧化铵/过氧化氢 /去离子水 NH4OH/H2O2/H2O 金属（不含铜） SC-2（HPW） 盐酸/过氧化氢/去离子水 HCl/H2O2/H2O piranha（SPW） 硫酸/过氧化氢/去离子水 H2SO4/H2O2/H2O DHF 氢氟酸/水溶液 HF/H2O 自然氧化层 DHF 氢氟酸/水溶液 HF/H2O BHF 缓冲氢氟酸 NH4F/ HF/H2O 典型的硅片湿法清洗顺序 步骤 目的 piranha清洗 有机物与金属 UPW清洗（超纯水） 清洗 DHF清洗 自然氧化层 UPW清洗 清洗 SC-1清洗 颗粒 UPW清洗 清洗 DHF清洗 自然氧化层 UPW清洗 清洗 SC-2清洗 金属 UPW清洗 清洗 DHF清洗 自然氧化层 UPW清洗 清洗 干燥 干燥