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第二章MOS器件物理基础 MOS器件物理基础Ch. 2 # MOSFET的结构 MOS器件物理基础Ch. 2 # MOSFET的结构衬底Ldrawn：沟道总长度（bulk、body）LD：横向扩散长度Leff：沟道有效长度， Leff＝ Ldrawn－2 LD MOS器件物理基础Ch. 2 # MOS管正常工作的基本条件寄生二极管MOS管正常工作的基本条件是:所有衬源（B、S）、衬漏（B、D）pn结必须反偏！ MOS器件物理基础Ch. 2 # 同一衬底上的NMOS和PMOS器件MOS管所有pn结必须反偏:*N-SUB必须接最高电位VDD！*P-SUB必须接最低电位VSS！*阱中MOSFET衬底常接源极S寄生二极管 MOS器件物理基础Ch. 2 # 例：判断制造下列电路的衬底类型 MOS器件物理基础Ch. 2 # NMOS器件的阈值电压VTH(a)栅压控制的MOSFET (b)耗尽区的形成(c)反型的开始(d)反型层的形成 MOS器件物理基础Ch. 2 # 以NMOS为例：D和S接地① VG0， 空穴在硅表面积积累② 0VGVTH硅表面耗尽：表面只有固定的负电荷③VGVTH 硅表面反型：自由电子吸引到硅表面 强反型条件： 栅极下硅表面反型层的载流子浓度= 衬底掺杂浓度 MOS器件物理基础Ch. 2 # 这里 是多晶硅栅和硅衬底的函数， ＝ ，Nsub是衬底的掺杂浓度，Qdep是耗尽层的电荷，Cox是单位面积的栅极电容。由pn结的原理，,这里εsi是硅的介电常数。因为Cox经常出现在器件的计算公式中，一般认为tox＝ 50A，Cox ＝6.9fF/，Cox的值可以来估其他厚度的氧化层面积 。=为体效应系数， 为源－体之间的电势差 MOS器件物理基础Ch. 2 # NMOS管VGSVT、VDS=0时的示意图 MOS器件物理基础Ch. 2 # NMOS管VGSVT、 0VDS VGS-VT时的示意图沟道夹断条件Vds≥Vgs-Vth MOS器件物理基础Ch. 2 # NMOS沟道电势示意图(0VDS VGS-VT )边界条件:V(x)|x=0=0, V(x)|x=L=VDS MOS器件物理基础Ch. 2 # I/V特性的推导（1）沟道单位长度电荷(C/m)电荷移动速度(m/s)Qd：沟道电荷密度Cox：单位面积栅电容WCox：MOSFET单位长度的总电容Qd(x)：沿沟道点x处的电荷密度V(x)：沟道x点处的电势V(x)|x=0=0, V(x)|x=L=VDS MOS器件物理基础Ch. 2 # I/V特性的推导（2）对于半导体：且 MOS器件物理基础Ch. 2 # 三极管区的MOSFET（0 VDS VGS－VT）等效为一个压控电阻 MOS器件物理基础Ch. 2 # I/V特性的推导（3）三极管区(线性区)每条曲线在VDS＝VGS－VTH时取最大值，且大小为：VDS＝VGS－VTH时沟道刚好被夹断 MOS器件物理基础Ch. 2 # 饱和区的MOSFET（VDS ≥ VGS－VT）当V(x)接近VGS-VT，Qd(x)接近于0，即反型层将在X≤L处终止，沟道被夹断。 MOS器件物理基础Ch. 2 # NMOS管VGSVT、VDSVGS-VT时的示意图耗尽区电子 MOS器件物理基础Ch. 2 # NMOS管的电流公式截至区，VgsVTH线性区,Vgs VTHVDS Vgs - VTH饱和区,Vgs VTHVDS Vgs - VTH MOS器件物理基础Ch. 2 # MOSFET的I/V特性VDSVGS-VT沟道电阻随VDS增加而增加导致曲线弯曲Triode RegionVDSVGS-VT曲线开始斜率正比于VGS-VT用作恒流源条件：工作在饱和区且VGS ＝const！ MOS器件物理基础Ch. 2 # 例2.1：在图2.14a中，表示M1是受VG控制的电阻。假设Cox＝50uA/V，W/L=10，VTH＝0.7V。漏端开路解：因为漏端开路，ID ＝ 0，VDS＝ 0。因此，假如器件导通，它就工作在深线性区。如果VG1V + VTH, M1截止，Ron＝无穷大。如果VG1V + VTH我们有 MOS器件物理基础Ch. 2 # MOSFET的跨导gm MOS器件物理基础Ch. 2 # 例2.2：如图2.19，画出跨导与 的函数曲线 当 从无穷大减小到零时来研究 的变化，会使这个问题变的简单。只要 ， 晶体管就工作在饱和区， 和 就保持相对恒定，这可从 式得到。当它工作在线性区时，此时有 =因此，如图2.19曲线所示，一旦器件进入线性区，跨导将下降。因此，在放大应用时，我们通常使MOSFET工作在饱和区 MOS