第X章晶闸管电路及其应用.pptVIP

* u2 uZ UZ uW uR1 T O O O t t t uC 改变电容C的充放电速度,可以改触发变脉冲周期T。 * 第四节 晶闸管的串并联及其保护 晶闸管的串并联 晶闸管的过载保护电路 * 一、晶闸管的串、并联 1. 晶闸管的并联应用 晶闸管并联可以分流。 VH1 VH2 R R 串电阻均流 电路简单，但电阻消耗功率，对动态均流不起作用，只适用于小功率。 * 串电抗均流 VH1 VH2 对静态、动态均流都起作用。 晶闸管不宜直接并联，因特性不同容易造成分流不均，从而烧坏器件。 * 2. 晶闸管的串联应用 晶闸管串联可以分压。 晶闸管不宜直接串联，因特性不同容易造成分压不均，从而击穿器件。 通常在晶闸管两端并联电阻和阻容器件。 * 二、晶闸管的过载保护 晶闸管的主要缺点：过电流、过电压能力很差。 1. 晶闸管的过电流保护 晶闸管产生过流的原因: 负载短路或过载 电路中某一晶闸管击穿或短路，造成其它器件过流 触发电路不正常 * 设置快速熔断器 ~ FU R FU FU 在输出端设置过流继电器及快速开关 整流触发脉冲相移保护 利用过电流的信号，把触发脉冲移后，从而减小晶闸管的 导通角或停止触发。 * 2. 晶闸管的过电压保护 晶闸管承受过电压的能力极差，电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。 产生过电压的原因：电路中积聚的电磁能量消散不掉。 通常采用 阻容保护装置，利用电容吸收过压。即将过电压的能量变成电场能量储存到电容中，然后由电阻消耗掉。 * 第五章 晶闸管电路及其应用 第一节 晶闸管 第二节 单相桥式半控整流电路 第三节 触发电路 第四节 晶闸管的串并联及其保护 * 第一节 晶闸管 基本结构 工作原理 伏安特性 主要参数 * 晶闸管又称可控硅（SCR)（Silicon Controlled Rectifier）是一种大功率半导体器件，它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。 晶闸管具有体积小、重量轻、无噪声、寿命长、 容量大（正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）等特点。 * 螺旋式结构 平板式结构 * 一、基本结构 P1 P2 N1 N2 四 层 半 导 体 K（阴极） G（控制极） A（阳极） 三 个 PN 结 A K G 符号 * 晶闸管不导通 无论控制极G与阴极K之间是否加有电压，晶闸管均不能导通。 二、工作原理 P1 P2 N1 N2 N1 P2 A G K 控制极G和阴极K之间不加正向电压 阳极A和阴极K加反向电压 反偏 反偏 阳极A和阴极K加正向电压 正偏 正偏 反偏 控制极G和阴极K之间加正向电压 正向电压足够大时，三个PN结都正偏，晶闸管导通。 K A G VT1 VT2 * K A G VT1 VT2 RL UG UA IG β2IG β2IG β1 正反馈 两个晶体管进入饱和导通状态。 晶闸管导通后， UAK≈0.6～1.2V 此时即使去掉控制极与阴极之间的电压，由于本身的正反馈作用晶闸管仍能维持导通。 控制极电压UG的作用仅仅是触发晶闸管的导通 * 晶闸管的导通条件为： ①阳极和阴极间加正向电压。 ②控制极和阴极间加正向触发电压。 ③阳极电流不小于维持电流。 ①阳极A加反向电压，或不加触发信号。 ②晶闸管正向导通后，若令其关断，必须减小UA（或使UA反向），使晶闸管中电流小于维持电流。 晶闸管的截止条件为： * UAK IA IH IN IG=0 UBO 导通 URO 三、伏安特性 △U IG1 IG2 IG增加 导通电压1V左右 正向折转电压 反向击穿电压 O * 四、主要参数 通态平均电流IF：允许通过晶闸管阳极的工频频率正弦波半波电流的平均值。 维持电流IH：在控制极开路的情况下，晶闸管维持导通时的最小阳极电流。正向电流小于IH时，管子自动阻断。 触发电压UG和触发电流IG：晶闸管从阻断到完全导通所需要的最小的控制极直流电压和电流。 * 正向断态重复峰值电压UDRM：控制极开路的条件下，允许重复作用在晶闸管上的最大正向电压。一般情况下UDRM ＝UBO×80%。 反向重复峰值电压URRM ：控制极开路的条件下，允许重复作用在晶闸管上的最大反向电压。一般情况下URRM ＝UBO×80%。 额定电压UD：取UDRM和URRM 中较小的一个数值标为器件的额定电压。 * 通态平均电压（管