半导体放电管2SA的培训内容.docxVIP

2SA 器件相关知识培训内容 一、2SA 器件相关术语及基本特性； 二、器件制造工艺介绍； 产品品质控制方法； 器件常规检测方法及参考标准； 使用的标准与国际标准符合性介绍； 六、器件寿命分析； 七、器件保存和使用的注意事项。 一、2SA 器件相关术语及基本特性 1、 产品名称：过电压保护用半导体管。 简称：半导体放电管，也有称固体放电管。 2、 2SA110-J 型号说明： “2”——器件的电极数目 “SA”——过电压保护用半导体管（Semiconductor arrester for the over-voltage protection of telecommunications installations） “110”——产品系列号 “J”——表示夹持安装 3、 过电压保护用半导体管的定义： 当在两个电极上施加的电压超过额定值时迅速变成低阻（导通）状态，电压撤消后又恢 复成高阻状态且正反特性一致的器件。 相关语术： 最高限制电压——在规定上升速率的电压冲击下半导体管上允许出现的最高电压。 不动作电压——半导体放电管保持高阻状态时所能承受的最高电压。 标称冲击电流——半导体放电管正常工作所允许通过的额定脉冲电流（峰值）。 标称工频电流——半导体放电管正常工作时所允许通过的频率为 50HZ 的额定交流电流 （有效值） 4、 SA110-J 型放电管的结构如图 1 所示： 1  3 2 图 1 1——上、下两个电极；2——封装材料（环氧树脂）；3——半导体芯片 放电管的电性能是由半导体芯片生成的。半导体放电管芯片的结构如图 2 所示： N1P1P11NP2N2P22 N1 P1 P11 N P2 N2 P22 A1 A1 P1  Q1  N1  Q3 J1 J2  P22  Q2  N  Q4  P11 P2 A2 图 2 根据芯片结构图可以画出等效电路图 3  A2 图 3 图 2 中 P1 和 P11、P2 和 P22 实际上是同一工艺步骤形成的相同区域，为了清楚分析而特 定划分开的。当外加电压施于 A1、A2 两电极之间，设若 A1 为正电压，A2 为负电压时，PN 结 J1 为正向偏置，呈低阻抗，而 PN 结 J2 为反向偏置，呈高阻抗。此时所有的晶体管 Q1~Q4 皆被截止。放电管呈开路状态。但是当外加电压不断增高，达到和超过 PN 结 J2 的击穿电压 VBR 时，J2 立即发生雪崩击穿，有电流通过 P2 和 P22 区域并在其上产生电压降。当 P22 与 N2 间结上的电压差接近 0.6V 时，Q2 晶体管的发射极 N2 有电子注入基区 P22，晶体管 Q2 开始动 作并有放大作用。电流经过反复放大，于是 Q1、Q2 迅速进入深饱和区，使 A1 与 A2 之间导 通，其间的残压可达到 3.5V 以下，外加的高电压迅即释放。从而起到过电压保护作用，随着 外加高电压泄放完毕，晶体管重又自动恢复到截止状态。 由于放电管芯片结构上上下完全对称，因此，反过来 A1 端为负、A2 端为正，动作过程与 上述完全类似。半导体放电管伏安特性曲线如图 4 所示： I Ih 1mA  VT VBR VBO  V 图 4 V  BR  ——标称导通电压、  V  BO  ——最高限制电压 V  T——导通后残压  I  H  ——维持电流（续流） 二、 2SA 器件制造工艺介绍： 2SA 器件制造可分为两大部分：前工序芯片制造和后工序芯片封装。 前工序大致有以下主要工艺： 硅片材料制备：采用一定电阻率的单晶棒，切割成 300~400um 厚圆片，经研磨抛光，使 硅片表面光亮如镜。 外延：就是在一定条件下，在一块制备好的硅片衬底上，沿其原来的结晶轴方向，生产 一层导电类型、电阻率、厚度和晶格结构完整性都符合要求的新单晶层。 氧化：在硅表面氧化生产一层 SiO2 膜，作为扩散时的掩蔽膜。 扩散：在衬底硅片上设定的区域掺入一定的浓度和深度的杂质。 5、光刻：是一种图形复印和腐蚀相结合的精密加工技术。目的就是按照设计要求，在 SiO  2 膜上刻蚀出与掩模版完全对应的几何图形，一般经过涂胶、曝光、显影、坚膜、腐蚀和 去胶与步骤。 表面钝比：就在芯片表面覆盖一层保护膜，避免周围环境气氛和其它因素对器件的影响， 对器件的性能稳定起很大作用。 电极制备。 后工序大致有以下主要工艺： 装配：把半导体芯片、电极、焊片在石墨模中组装成一体。 烧结：把装配好的器件通过烧结炉把芯片与电极焊接成一体。 封装：通过环氧树脂把芯片裹封起来，然后高温固化成形，对芯片电性能起到保护作用。 同时增强产品的机械强度。 高温老化：通过常时间高温储存，使少量有缺陷的芯片加速早期失效，使产品性能趋向 稳定。 第一次测试分选：按照企