半导体基础知识和半导体器件工艺.docxVIP

22 3 22 3 15/ 3 -7 半导体基础知识和半导体器件工艺 第一章 半导体基础知识;h 　通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类为导体，它可以很好的 传导电流，如：金属类，铜、银、铝、金等；电解液类：NaCl 水溶液，血液， 普通水等以及其它一些物体。第二类为绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、 陶瓷、木板等。第三类为半导体，其导电能力介于导体和绝缘体之间，如四族 元素 Ge 锗、Si 硅等，三、五族元素的化合物 GaAs 砷化镓等，二、六族元素的 化合物氧化物、硫化物等。 物体的导电能力可以用电阻率来表示。电阻率定义为长 1 厘米、截面积为 1 平方厘米的物质的电阻值，单位为欧姆*厘米。电阻率越小说明该物质的导电 性能越好。通常导体的电阻率在 10-4 欧姆*厘米以下，绝缘体的电阻率在 109 欧姆*厘米以上。 半导体的性质既不象一般的导体，也不同于普通的绝缘体，同时也不仅仅 由于它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是由于半导体具有以下的特殊性 质： (1) 温度的变化能显著的改变半导体的导电能力。当温度升高时，电阻率会降 低。比如 Si 在 200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的 这个特性制成自动控制用的热敏组件（如热敏电阻等），但是由于半导体的这 一特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件自身产生的 热量，需要考虑器件使用环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效、 报废。 R/z (2) 半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照后 导电能力可提高几十到几百倍，利用这一特点，可制成光敏三极管、光敏电阻 等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量（千万分之一）的其它元素（这个过程我们称 为掺杂），可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特征。例如在 原子密度为 5*10 /cm 的硅中掺进大约 5X10 cm 磷原子，比例为 10 （即千 万分之一），硅的导电能力提高了几十万倍。 物质是由原子构成的，而原子是由原子核和围绕它运动的电子组成的。电子 很轻、很小，带负电，在一定的轨道上运转；原子核带正电，电荷量与电子的 总电荷量相同，两者相互吸引。当原子的外层电子缺少后，整个原子呈现正电， 缺少电子的地方产生一个空位，带正电，成为电洞。物体导电通常是由电子和 电洞导电。前面提到掺杂其它元素能改变半导体的导电能力，而参与导电的又 分为电子和电洞，这样掺杂的元素（即杂质）可分为两种：施主杂质与受主杂 质。-将施主杂质加到硅半导体中后，他与邻近的 4 个硅原子作用，产生许多自 由电子参与导电，而杂质本身失去电子形成正离子，但不是电洞，不能接受电 子。这时的半导体叫 N 型半导体。施主杂质主要为五族元素：锑、磷、砷等。 将施主杂质加到半导体中后，他与邻近的 4 个硅原子作用，产生许多电洞参与 导电，这时的半导体叫 p 型半导体。受主杂质主要为三族元素：铝、镓、铟、 硼等。 电洞和电子都是载子，在相同大小的电场作用下，电子导电的速度比电洞快。 电洞和电子运动速度的大小用迁移率来表示，迁移率愈大，截流子运动速度愈 快。 假如把一些电洞注入到一块 N 型半导体中，N 型就多出一部分少数载子――电 洞，但由于 N 型半导体中有大量的电子存在，当电洞和电子碰在一起时，会发 生作用，正负电中和，这种现象称为复合。单个 N 型半导体或 P 型半导体是没 有什么用途的。但使一块完整的半导体的一部分是 N 型，另一部分为 P 型，并 在两端加上电压，我们会发现有很奇怪的现象。如果将 P 型半导体接电源的正 极，N 型半导体接电源的负极，然后缓慢地加电压。当电压很小时，一般小于 0.7V 时基本没有电流流过，但大于 0.7V 以后，随电压的增加电流增加很快， 当电压增加到一定值后电流几乎就不变化了。这样的连接方法为正向连接，所 加的电压称为正向电压。将 N 型半导体接电源的正极，P 型半导体接电源的负 极，当电压逐渐增大时，电流开始会有少量的增加，但达到一定值后电流就保 持不变，并且电流值很小，这个电流叫反向饱和电流、反向漏电流。当电压继 续加到一定程度时，电流会迅速增加，这时的电压称为反向击穿电压。这是由 于载子（电子和电洞）的扩散作用，在 P 型和 N 型半导体的交界面附近，由于 电子和电洞的扩散形成了一个薄层（阻挡层），这个薄层称作 PN 接面。在没 有外加电压时，PN 接面本身建立起一个电场，电场的方向是由 N 区指向 P 区， 从而阻止了电子和电洞的继续扩散。当外加正电压时，削弱了原来存在于 PN 接面中的电场，在外加电场的作用下，N 区的电子不断地走向 P 区，P 区 的电洞不断地走向 N 区，使电流流通。当外加反向电压时，加强了电场阻止电 子和电洞流通的作